编者按

半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”于09年2月9日（星期一）在美国旧金山拉开帷幕。受全球景气衰退的影响，预计今年参加ISSCC的人数为2200～2300名。比上年减少3成左右。半导体技术的微细化方面，今年将开发采用32nm工艺的逻辑LSI。美国英特尔不仅试制了使用32nm制造技术的291Mbit SRAM和等化电路，还计划发布面向32nm工艺的片上温度传感器。NAND闪存方面，3Xnm工艺的发表接连不断。比如，东芝和美国SanDisk将发布小于35nm工艺的32Gbit芯片（3bit/单元）。值得一提的是，两篇分别来自清华大学与复旦大学的论文入选了本次ISSCC大会，这也打破了连续多年中国大陆只有一篇论文入选的局面。此外，为了令更多无法现场参会的亚洲技术人员更好的了解大会内容，ISSCC还首次开辟全球分会，推出北京、东京、首尔及台北等分会场。