NCP5181BAL36WEVB，用于 NCP5181、36W 镇流器、高压功率 MOSFET 驱动器的评估板

使用 ON Semiconductor 的 NCP5181PG 的参考设计

设计简介

NCP5181BAL36WEVB，NCP5181 36W 镇流器的评估板。 NCP5181 是一款高压功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于直接驱动以半桥（或任何其他高侧 + 低侧）配置排列的 2 个 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高侧电源开关的正确驱动。该驱动器具有 2 个独立输入，可适应任何拓扑（包括半桥、非对称半桥、有源钳位和全桥）

说明

NCP5181BAL36WEVB, Evaluation Board for the NCP5181, 36-W Ballast. The NCP5181 is a High Voltage Power MOSFET Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs arranged in a half-bridge (or any other high-side + low-side) configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the High-side power switch. The driver works with 2 independent inputs to accommodate any topology (including half-bridge, asymmetrical half-bridge, active clamp and full-bridge)

主要特色

Input Voltage

85 to 145 (AC)|184 to 265 (AC) V
Output Current

0.414 A
Output Power

36 W
Number of Derived Elements

1

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TLC555CPS	Timers	Standard Timer Single 8-Pin SOP Tube	点击下载
NCP5181PG	Gate and Power Drivers	Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube	点击下载

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更新时间2024-11-21 12:05:16

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