加入交流群  

扫一扫,添加管理员微信
备注:参考设计,即可被拉入群
和也在搞设计小伙伴们碰一碰

收藏 

评论 

qoistoochee128 发布

NCV33172DR2G 直流耦合反相放大器最大输出摆幅与单 +5V 电源的典型应用

使用 ON Semiconductor 的 NCV33172DR2G 的参考设计

 
设计简介
NCV33172DR2G 直流耦合反相放大器的典型应用 单 +5V 电源最大输出摆幅。 NCV33172 系列单片运算放大器采用优质双极制造和创新设计理念。这些器件每个放大器的运行电流为 180 uA,无需使用 JFET 器件技术即可提供 1.8 MHz 增益带宽积和 2.1 V/us 压摆率

说明

  • Typical Application for NCV33172DR2G DC Coupled Inverting Amplifier Maximum Output Swing with Single +5V Supply. Quality bipolar fabrication with innovative design concepts are employed for the NCV33172 series of monolithic operational amplifiers. These devices operate at 180 uA per amplifier and offer 1.8 MHz of gain bandwidth product and 2.1 V/us slew rate without the use of JFET device technology

主要特色

  • Number of Supplies
    Dual
  • Supply Voltage
    3 to 44 V
参考设计图片
×
相关文档

!注意:请使用浏览器自带下载,迅雷等下载软件可能无法下载到有效资源。

 
群聊设计,与管理员及时沟通

欢迎加入EEWorld参考设计群,也许能碰到搞同一个设计的小伙伴,群聊设计经验和难点。 入群方式:微信搜索“helloeeworld”或者扫描二维码,备注:参考设计,即可被拉入群。 另外,如您在下载此设计遇到问题,也可以微信添加“helloeeworld”及时沟通。

 
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

论坛推荐 更多
更新时间2024-11-12 21:39:40

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版 版权声明

EEWORLD参考设计中心

站点相关: TI培训 德州仪器(TI)官方视频课程培训

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved