本参考设计提供了一套完整的基于数字平台的三相AC/DC和DC/AC (800 VDC到400 VAC)功率转换解决方案。
它非常适合高功率充电站、工业电池充电器以及UPS的有源前端(AFE)阶段。SiC MOSFETs 的 高频应用和多电平拓扑结构可实现近99%的效率，同时优化无源器件尺寸和成本。
主要特性
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| 器件 | 类型 | 描述 | 数据手册 |
|---|---|---|---|
| SCTW35N65G2V | 碳化硅MOSFET | 碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装 | 点击下载 |
| STM32G474RE | STM32主流MCU | 带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash存储器、数学加速器、高分辨率定时器和高模拟电平集成 | 点击下载 |
| SCTW40N120G2VAG | 碳化硅MOSFET | 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装 | 点击下载 |
| STGAP2S | 低压 MOSFET 驱动器 | 电流隔离4 A单重栅极驱动器 | 点击下载 |
| VIPER26 | 高压转换器 | VIPerPlus系列：节能的12W高压转换器，提供直接反馈 | 点击下载 |
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