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| 器件 | 类型 | 描述 | 数据手册 |
|---|---|---|---|
| RN 1/4W 10K F T/B A1 | 插件电阻 | 点击下载 | |
| IRF250P225 | MOS(场效应管) | 漏源电压（Vdss）：250V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：69A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：313W(Tc) 类型：N沟道 | 点击下载 |
| UF4007 | 超快恢复二极管 | 反向恢复时间（trr）：75ns 直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A | 点击下载 |
| MOF3WS-470Ω±5% T | 插件电阻 | 点击下载 | |
| SLT040125T330MUB | 磁环电感 | 点击下载 | |
| CBB21-0.3uF400V 5% | 聚丙烯膜电容(CBB) | 点击下载 | |
| 1N4742A | 稳压二极管 | 精度：- 稳压值(典型值）：12V 反向漏电流：5uA @ 9.1V 最大功率：1W . 12V 1W | 点击下载 |
| 5011 | 测试点/测试环 | 点击下载 |
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