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ESP32热成像

 
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器件 类型 描述 数据手册
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CJ3139K MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V 点击下载
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