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王达业 发布

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB:40 W SiC 高压辅助电源,适用于混合动力汽车和电动汽车 纯电动汽车应用

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB: 40 W SiC high-voltage auxiliary power supply for HEV & BEV applications

 
设计简介
SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB 是一款高效的初级侧调节 (PSR) 辅助电源,适用于 HEV 和 EV 汽车动力传动系统。该设计可在 250V 至 900V 的宽输入直流电压范围内提供稳定的 15 V 输出和 40W 功率,因此适用于 400V 和 800V 电池系统。该板采用 NCV1362 准谐振峰值电流 PSR 反激控制器、3 引线成本优化的 NVHL160N120SC1 160mOhm 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 和 FFSP0665B-F085 SiC 二极管。得益于 SiC FET 的高阻断电压能力和超低栅极电荷 (34 nC) 值,开关损耗显著降低,并且该板在低线输入条件下的应用效率高达 86%。 NCV1362 控制器的卓越驱动能力允许在 12V 下直接操作 SiC FET,而无需预驱动器,从而简化布局并减少元件数量。反激式变压器提供 4 kV 隔离,并经过优化以最大限度地减少 RCD 缓冲器上的损耗。因此,该系统有效地抑制了高压线路上的漏极电压过冲,并为 SiC FET 提供了 100V 的裕度。该板完全采用汽车级合格半导体和无源器件。还提供工业级替代品。特性与应用 特性 效率高达 85.5% 电磁兼容性(EN 55015 限制) 完全符合汽车标准 Vout = 15V / 40W 连续 NCV1362(汽车)/ NCP1362(工业)准谐振峰值电流 PSR 反激控制器 Vin = 240V - 900V DC 仅限 SiC FET 由 IC 直接在 12V 下操作 出色的热性能 优势 单层 PCB EMC 在 EN 55015 限制范围内 在宽输入电压范围内稳定运行(250 Vdc - 900 Vdc) 完全符合 AEC-Q 标准的部件 SiC 器件效率更高 减少物料清单并优化成本 应用 电动汽车充电和 DC-DC 转换 HEV 和 EV 汽车辅助电源。 汽车动力传动系统 工业 DC-DC 转换、太阳能逆变器(工业级)
SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB is highly efficient and primary-side regulated (PSR) auxiliary power supply targeting HEV and EV automotive power trains. The design provides a stable 15 V output and 40W over a wide input DC voltage range from 250V to 900V, and is therefore suitable for 400V and 800V battery systems.
The board employs the NCV1362 quasi-resonant peak current PSR flyback controller, the 3-lead cost-optimized NVHL160N120SC1 160mOhm 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET, and the FFSP0665B-F085 SiC diode.
Thanks to the high blocking voltage capabilities and ultra-low gate charge (34 nC) value of the SiC FET, the switching losses are significantly reduced, and the board exhibits a superior efficiency for the application up to 86% in low line input conditions. The notable driving capabilities of the NCV1362 controller allows for direct operation of the SiC FET at 12V without a pre-driver, simplifying the layout and cutting down the component count.
The flyback transformer provides 4 kV isolation and is optimized to minimize the losses on the RCD snubber. Consequently the system effectively dampens the drain voltage overshoot at high line, and provides 100V margin for the SiC FET. The board is fully realized with automotive qualified semiconductors and passive devices. Industrial grade replacements are also available.
Features and Applications

Features

  • High efficiency up to 85.5%
  • Electromagnetic compatibility (EN 55015 limits)
  • Fully automotive qualified devices
  • Vout = 15V / 40W continuous
  • NCV1362 (automotive) / NCP1362 (industrial) quasi-resonant peak current PSR flyback controller
  • Vin = 240V - 900V DC only
  • SiC FET directly operated at 12V by the IC
  • Excellent thermal performance

Benefits

  • Single layer PCB
  • EMC within EN 55015 limits
  • Stable performance across a wide input voltage range (250 Vdc ? 900 Vdc )
  • Fully AEC-Q qualified parts
  • Superior efficiency with SiC devices
  • Reduced bill-of-material and cost-optimized

Applications

  • EV charging and DC-DC conversion
  • HEV & EV vehicles auxiliary power supplies.
  • Automotive powertrain systems
  • Industrial DC-DC conversion, solar inverts (with industrial grade)
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更新时间2024-11-21 10:11:30

 
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