JMS583是可以将PCIe Gen3x2 设备转 TYPE-C USB3.1 GEN2(10Gbps)的桥接芯片。
可以制作成固态硬盘盒,速度最快10Gbps,即1024MB/s
可用于XBOX的外挂硬盘存储
做这个挺多坑的,不过我已经帮你们踩了。
固定M.2的铜柱,我使用的是这种
M.2电源部分,只需要焊接这里的0欧即可,其他不用焊接
踩过坑,焊接完无法读盘,因为上电时序不对,导致JMS583发送请求信号时M.2设备还未上电,M.2一直等待。是固件问题
推荐换成FB100/5A@100MHz的大电流磁珠或0欧,此处电流较大。
DCDC使用之前用开的TD1583,这个DCDC最高输出3A电流,实测使用致态TiPlus5000(3.3V 2.5A)测试会有啸叫
改进:
1.电感换大点的,当时测试时使用2.2uH,建议更换10uH以上(原理图已更新)
2.更换大电流DCDC
3.前后级增加大电解电容
建议主控贴上散热铝片,10Gbps时可能会顶不住而降速
对于M.2 NVME需要走85欧阻抗匹配
对于USB-C需要走90欧阻抗匹配
测试接口:PCIe 4.0 x4 | PCIe 4.0 x4
芯片组:B760芯片组
测试主板:华硕 ROG STRIX B760-A GAMING WIFI D4
处理器:13th Gen Intel Core i7-13700KF
板上测试源硬盘:ZHITAI TiPro7000 1TB 理论传输7500MB/s,6000MB/s
接口:PCIe Gen 3.0*4
标准:NVM Express1.4
理论读取:3500MB/s
理论写入:3200MB/s
缓存大小:未知
接口:PCIe 4.0
主板上DiskMark速度,读取能比理论速度还快。
主板上实际文件写入速度
前面能上到3G/s,后面稳定2G/s以上
线材:USB对TYPE-C 10Gbps 线材
接口:USB3.0 5Gbps
移动硬盘盒中DiskMark速度
实际文件写入速度
线材:TYPE-C对TYPE-C 20Gbps 线材
接口:TYPE-C 20Gbps
移动硬盘盒中DiskMark速度,已经摸到10Gbps速率的天花板了
实际文件写入速度,会差点
接口:PCIe Gen 3.0*4
标准:NVM Express1.3
理论读取:2000MB/s
理论写入:1500MB/s
缓存大小:未知
接口:板上PCIe 4.0
主板上DiskMark速度,基本上能跑到理论速度
主板上实际文件写入速度
前面应该是有缓存,后面稳定写入1.27G
线材:USB对TYPE-C 10Gbps 线材
接口:USB3.0 5Gbps
移动硬盘盒中DiskMark速度
实际文件写入速度
线材:TYPE-C对TYPE-C 20Gbps 线材
接口:TYPE-C 20Gbps
移动硬盘盒中DiskMark速度,写入也差不多摸到天花板了,对比致态的差了一点
实际文件写入速度
附件JMS583.bin
之前有同学在SATA硬盘的工程问我如何烧录,我这里放一下烧录过程
1.购买FLASH烧录器
2.下载好烧录软件
3.使用附送的烧录板将FLASH焊接到烧录板上
4.放入FLASH到烧录器,连接电脑
5.打开烧录软件(有些烧录器无免驱,需要下载驱动才能识别到烧录器)
选择FLASH芯片,智能检测大部分时候识别错误,不推荐使用
6.点击载入bin文件
7.对于空片,点击写入、烧录即可
对于FLASH内有内容的来说,选择读出看看是否有内容,再点击擦除,擦除后再点击写入即可
对于不确定的FLASH,或者说所有FLASH,无论是否空片(因为有些卖家会买你拆机FLASH),我更推荐都先擦除,擦除后读出来看看是否已经全部擦除,然后再写入bin,写入后可以再读取出来看看bin中内容是否已经都写入了,这是最保险的做法。
8.烧录器断电,拆出FLASH,焊接到主板中(此图非本工程图片)
不推荐使用烧录夹将已经焊接到主板的FLASH进行烧录,FLASH连接的主控会影响烧录,建议拆下来烧录!
确实能跑上10Gbps,可以做成移动硬盘盒
我的PCB画那么大是因为能够白嫖四层板工艺,尺寸卡到99.5mm,做成条形的就要加长收费,而且M.2的座子不好焊接,因此元器件尽量都在正面可以方便大家用加热台铁板烧,因此画成了这种异型。
高速信号走线参考此处
RTL9210方案已经有大佬做了,我就不做了
https://oshwhub.com/kx111111/rtl9210_2230_typec
ASM2362方案本人已提上日程,目前本人没空搞,预计排期到今年下半年
ASM2362已经有大佬做了,我就不做了。指路:
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