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兰博 发布

【立创开发板】梁山派游戏机

 
设计简介
基于梁山派开发版制作游戏机 1.锂电池充放电。 ![image.png] 2.玩NES游戏(详情见视频) 3.驱动NRF24L01进行无线通讯 ![9172934f276e8f632f94c84fe7ce640.jpg] 4.能使用SD卡 5.与W25q128flash进行spi通讯 ![image.png] (移植了训练营营友的代码,还未完全消化,暂时不开放)
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相关器件
器件 类型 描述 数据手册
M24C02-WMN6TP EEPROM存储器 存储器接口类型:I2C 存储器容量:2Kb (256 x 8) 工作电压:2.5V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile 2-Kbit(256 x 8bit),I2C接口,工作电压:2.5V to 5.5V 点击下载
C0603X5R106M160NT 贴片电容 精度:±20% 容值:10uF 额定电压:16V 温漂系数(介质材料):X5R X5R 点击下载
CC0603KRX7R9BB104 贴片电容 精度:±10% 容值:100nF 额定电压:50V 温漂系数(介质材料):X7R 材质:X7R 点击下载
8002A 音频功率放大器 点击下载
CR0603FA1002G 贴片电阻 阻值(欧姆):10K 精度:±1% 功率:1/10W 温度系数:±100ppm/°C 1/10W 点击下载
FN18X224K160PSG 贴片电容 精度:±10% 容值:220nF 额定电压:16V 温漂系数(介质材料):X7R 材质:X7R 点击下载
AC0603DR-0768KL 贴片电阻 阻值(欧姆):68K 精度:±0.5% 功率:1/10W 温度系数:±100ppm/°C 点击下载
CC0603KRX5R8BB105 贴片电容 精度:±10% 容值:1uF 额定电压:25V 温漂系数(介质材料):X5R 材质:X5R 点击下载
HPCR0603F22K0K9 高功率贴片电阻 功率:200mW 阻值(欧姆):22K 精度:±1% 0.2W,额定功率是普通贴片电阻的一倍 点击下载
S8050 三极管 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 额定功率:225mW NPN 点击下载
CR0603F1K00P05Z 贴片电阻 点击下载
CR0603JA0103G 贴片电阻 阻值(欧姆):10K 精度:±5% 功率:1/10W 温度系数:±200ppm/°C 点击下载
1N4148W 开关二极管 反向恢复时间(trr):8ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 点击下载
0603WAF0000T5E 贴片电阻 阻值(欧姆):0 精度:±1% 功率:1/10W 温度系数:- 点击下载
0603WAJ0104T5E 贴片电阻 阻值(欧姆):100K 精度:±5% 功率:1/10W 温度系数:±100ppm/°C 点击下载
CL10A106KP8NNNC 贴片电容 精度:±10% 容值:10uF 额定电压:10V 温漂系数(介质材料):X5R 材质:X5R 点击下载
TAJB107K006RNJ 钽电容 精度:±10% 容值:100uF 额定电压:6.3V ESR串联电阻:1.7 Ω @ 100kHz 工作温度:-55℃ ~ +125℃ 点击下载
W25Q128JVSIQ FLASH存储器 存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:SPI - Dual/Quad I/O 存储器容量:128Mb (16M x 8) 存储器类型:Non-Volatile 点击下载
CR0603FA20R0G 贴片电阻 阻值(欧姆):20 精度:±1% 功率:1/10W 温度系数:±100ppm/°C 点击下载
CR0603J1K00P05Z 贴片电阻 点击下载
CR0603J10K0P05Z 贴片电阻 点击下载
DS1023-2*4SF11 排针排母 针脚数:8 连接器类型:排母 排数:2 触头类型:母形插口 间距:0.100"(2.54mm) 2×2.54双排母 点击下载
PTS125SJM73PSMTR2LFS 轻触开关 按钮作用方向:顶部致动 触点额定电流:50mA @ 12VDC 按钮头类型:方形按钮 作用力:180±50gf 电路结构:SPST 点击下载
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更新时间2024-11-19 11:37:19

 
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