使用硅锗 BFP640 晶体管的低成本两级低噪声放大器，适用于 5-6GHz 应用

使用 Infineon Technologies AG 的 BFP640 的参考设计

设计简介

适用于 5 - 6GHz 应用的低成本两级低噪声放大器使用 BFP640 硅锗射频晶体管的两级低噪声放大器 (LNA) 应用针对使用 5 至 6 频率范围的无线 LAN 和其他系统兆赫

Low-Cost Two-Stage Low Noise Amplifier for 5 - 6GHz Applications Using the BFP640 Silicon Germanium RF Transistor is shown in a two-stage Low Noise Amplifier (LNA) application targeted for Wireless LAN and other systems using the frequency range from 5 to 6 GHz

相关器件

器件	类型	描述	数据手册
BFP640H6327XTSA1	RF BJT	Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R	点击下载
BFP 640 H6327	RF BJT	Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R	点击下载

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更新时间2024-11-19 09:49:18

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