2.33GHz SDARS 低噪声放大器应用中的 BFP740F 超低噪声射频晶体管

使用 Infineon Technologies AG 的 BFP740F 的参考设计

设计简介

采用 TSFP-4 封装的硅-锗-碳 BFP740F HBT 射频晶体管显示在 +3V、2.33-GHz LNA 应用中。放大器消耗 8.9 mA 电流。改变偏置电阻值即可使用+5V电源

Silicon-Germanium-Carbon BFP740F HBT RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a +3V, 2.33-GHz LNA application. Amplifier draws 8.9 mA. +5V power supply can be used if bias resistor values are changed

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器件	类型	描述	数据手册
BFP 740F H6327	RF BJT	Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R	点击下载
BFP740FH6327XTSA1	RF BJT	Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R	点击下载

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更新时间2024-11-16 20:07:52

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