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2019年11月18日 | 单片80G/s采样电路原理

发布者:Radiant777 来源: eefocus关键字:单片80G  采样电路  示波器 手机看文章 扫描二维码
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安捷伦最新的90000X系列示波器采用磷化铟(InP)半导体材料设计示波器前端芯片,使得硬件带宽突破16GHz瓶颈,达到32GHz数量级,而且突破了未来示波器带宽发展的瓶颈。

但是,我认为最重要的突破是采样电路技术,新的采样电路的设计使得样点间的精度由1ps以上提高到50fs,同时克服ADC带宽的限制和未来采样率发展的瓶颈。这才是关键之处。

下图是90000X示波器的前端芯片,芯片内部集成了:32GHz前端放大器,22GHz触发器,80GSa/s采样保持电路
单片80G/s采样电路原理
90000X的采样电路设计非常值得我们借鉴,尤其现在国内在开发ADC遇到比较大的瓶颈的情况下。


这个采样电路把采样保持电路和数据转换分开,用磷化铟设计采样保持电路(主要由开关和存储/滤波组成),克服带宽的瓶颈,采样间隔的精度由延迟线来保证(所以达到50fs或更低的量级),而在前端芯片的外部用传统的ADC来做数据转换(瞬时直流信号的数据转换)。如下图所示。


这样达到了高带宽、高精度和低成本的目的。
单片80G/s采样电路原理
实际的产品性能测量结果证明设计是非常好的,使用8bits的ADC可以达到40dB以上的无寄生动态范围。


如果使用12bits的ADC呢?结果会超出我们的想象。


所以国内完全可以借鉴这样的技术,使用一直研究的磷化铟做采样/开关保持/滤波电路,而使用低速的传统ADC做数据转换,这样可以达到:高带宽,高采样率,高位数的高精度模数转换产品。

关键字:单片80G  采样电路  示波器 引用地址:单片80G/s采样电路原理

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