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SUD50P04-09L P沟道MOSFET

发布时间:2011-01-12   本文作者:Vishay   

FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFETs
• 175 °C Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


编辑:冀凯
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/Vishay/2011/0112/down_268.html
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