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VBT1045C 肖特基二极管


内容简介

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C
• Not recommended for PCB bottom side wave mounting
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC


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发布公司: vishay
更新时间:2011-02-28
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