内容简介

     •   单通道P沟道MOSFET，1.8 KV ESD保护
     •   低RON，在2.5 VGS下26m欧姆
     •   采用2 x 2 mm，PPAK - SC70 - 6L封装
     •   优化的P 沟道MOSFET放电应用

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