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2012-03-20VFT6045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VO06xx[厂商:Vishay]: 10 Mbd 传输速度，SOIC-8 封装，共模抑制比15 kv/us,5kv/us和100 v/us，工作温度范围- 40 °C 到100 °C，低供电电流：5 mA

2012-03-20VFT4045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VFT3045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VFT2045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VFT1045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VBT6045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VBT3045C [厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VBT2045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20VBT1045C[厂商:Vishay]: 45 V Trench MOS势垒肖特基整流器电流等级从10 A到60 A；低正向电压降，低功耗；封装外形：TO-220AB, ITO-220AB, TO-262AA, TO-263AB

2012-03-20TCMT111x[厂商:Vishay]: 极小体积封装（半脚间距），隔离测试电压 3750 V均值，工作温度范围- 40 °C 到110 °C

2012-03-20TCLT111x[厂商:Vishay]: 极小体积封装，爬电距离大于8 mm，隔离测试电压5000 V均值，工作温度范围- 40 °C 到110 °C

2012-03-20TCLT101x[厂商:Vishay]: 极小体积封装，爬电距离大于8 mm，隔离测试电压5000 V均值，工作温度范围- 40 °C 到110 °C

2012-03-20SIHP18N50C-E3[厂商:Vishay]: 18 A, 500 V, TO220, VGS = 10 V 时 Rds = 0.225 Ω

2012-03-20SIHG47N60S-E3[厂商:Vishay]: 47 A, 600 V, TO246, VGS = 10 V 时 Rds = 0.07 Ω

2012-03-20SIHG20N50C-E3[厂商:v]: 20 A, 500 V, TO247, VGS = 10 V 时 Rds = 0.27 Ω

2012-03-20MKP 1848 DC-Link 薄膜电容器[厂商:Vishay]: 最高有效电流值可达1 Arms/μF，可处理反向电压，内无电解液，长使用寿命>15年，低成本替代铝电解电容器

2012-03-20D2TO 系列[厂商:Vishay]: 贴片封装，高电流，无感，阻值范围从 0.01 Ω 到 550 kΩ

2012-03-20095 PLL-4TSI 铝电解电容器[厂商:Vishay]: 极长的使用寿命：85 °C时10 000小时，低ESR，高纹波电流容量

2012-03-16引线电阻在电表中的应用[厂商:Vishay]: 引线电阻在电表中的应用

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