Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管-电子工程世界

高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2024年7月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。

日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有 10，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。

器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，无铅（Pb），可采用温度达260°C的无铅焊接。

TSHF5211现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为20周。

关键字：Vishay 开关时间红外发光二极管引用地址：Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管

上一篇：铝电解电容器:TDK 推出更紧凑的通用型焊片式电容器
下一篇：TDK 荡起畅游“七海”之桨

推荐阅读最新更新时间：2024-11-17 16:08

采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管 ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。近年来，xEV得以快速普及，对于其配套的OBC等部件而言，功率半导体是不可或缺的存在，因

[电源管理]

采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒<font color='red'>二极管</font>

Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

器件适用于24 V系统双向开关，最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW 单位面积RS-S(ON)达业内最低水平日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器

[半导体设计/制造]

<font color='red'>Vishay</font>新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体二极管MOSFET

Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低 N沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月12日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。 Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降6

[电源管理]

<font color='red'>Vishay</font>推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体<font color='red'>二极管</font>MOSFET

高稳定性的稳压二极管电路图

[模拟电子]

Vishay拓宽其 SOT-227 封装电源模块产品线

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，拓宽其SOT-227封装电源模块产品线，将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构，并有多种额定电流和额定电压可供选择。采用ThunderFET功率MOSFET的 VS-FC420SA15 和 VS-FC270SA20 单开关模块是Vishay首款电压分别为150V和200V的产品。这两款器件是高性能DC/DC转换器、电池充电器、AC电机驱动器和UPS的理想选择。提供可达400A的电流，

[电源管理]

可获得正、负输出的理想二极管电路

可获得正、负输出的理想二极管电路电路的功能常用的二极管都有正向压降，不能进行微小信号整流，而当信号幅度较大时，环境温度若升高，整流电压又会跟着改变，很难构成高精度电路。理想的二极管电路可获得过零的二极管特性，这种电路可用OP放大器的反馈电路实现。电路工作原理 OP放大器A1为负输出的理想二极管电路，在输出端串接了二极管D1，并从D1的正极开始进行反馈，对于正的输入信号来说，A1只起单纯的反相放大器作用。负输入时，OP放大吕A1的输出摆到正，D1被断开，为了保证其能在开环状态下工作以及防止饱和，在输出还接了二极管D2。A1的正输出被二极管正向压降箝位。 OP放大器A2是放大倍数为1的反相放大

[模拟电子]

可获得正、负输出的理想<font color='red'>二极管</font>电路

Littelfuse推出AEC-Q101瞬态抑制二极管

Littelfuse推出符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管，可提高功率耗散能力而无需重新设计电路保护敏感的汽车电子产品不受电压瞬变和ESD的危害 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出TPSMB系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该产品设计用于为敏感的汽车和其它电子元件在负载突降和其它瞬态电压事件引发瞬态电压时提供次级保护。由于该产品符合汽车电子委员会的Q101汽车级分离式半导体疲劳测试标准（AEC-Q101认证），因而是保护输入/输出接口、VCC总线和汽车应用中其它易损电路的理想选择。其紧凑、小尺寸的DO-214AA SMB封装简化了电路板布局，是汽车应用中最流行的封装形式之一。

[电源管理]

分享检测肖特基二极管的九大诀窍

　　1、检测小功率肖特基二极管　　A.判别正、负电极　　(a)观察外壳上的符号标记。通常在肖特基二极管的外壳上标有肖特基二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。　　(b)观察外壳上的色点。在点接触肖特基二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。　　(c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。　　B.检测最高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是肖特基二极管承受的交流峰值电压。　　2、检测双向肖特基二极管　　将万用表置于相应的直流电压挡。测

[测试测量]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播