ST推出小尺寸，高隔离电压的SiC MOSFET隔离驱动器

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意法半导体（STMicroelectronics ）推出超小型SiC MOSFET隔离式栅极驱动器，采用SO-8封装，尺寸仅为 5mm x 4mm。

尽管封装较小，但 STGAP2SiCSN 额定隔离电压为 4.8kV，电压轨高达 1,700V。结温为 123°C。

驱动器在 25°C 和 26V 时输出为 4A。芯片包含两种版本：一种具有用于不同串联电阻器的单独源和漏引脚，另一种添加了米勒钳位（4A sink）输出。 “单输出配置增强了高频硬开关应用的稳定性，并且利用米勒钳位防止电源开关过度振荡。”ST表示。

双输入引脚允许选择控制信号极性，并实现硬件互锁保护，以避免控制器故障时的交叉传导。

PWM 波形输入到输出的传播延迟为 75ns，支持3.3V 和 5V TTL 或具有迟滞的 CMOS 兼容输入。在整个工作温度范围内共模瞬变抗扰度为100V/ns。

内置保护包括欠压锁定、阈值调整以防止 SiC 功率开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出降低。

其他包括集成自举二极管和关断引脚。

产品将应用于电动汽车车载充电器、不间断电源、太阳能、电机驱动的开关电源和功率因数校正等领域。

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请注意，以上故事框架是基于对德芯半导体公司的有限了解而构建的，并非真实事件的具体描述。如需更详细和准确的信息，请参考公司官方发布的相关资料或进行深入研究。

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