低碳化、数字化推动可持续发展 英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展

英飞凌展台

展会期间，英飞凌首次举办“2024英飞凌宽禁带论坛”。伴随新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。 作为全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展， 为光伏、储能、智能家居、新能源汽车等 低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁

英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟

在《宽禁带创新技术加速低碳化和数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟和英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐分别从市场角度阐述了 英飞凌在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽禁带半导体领域的领先优势。

英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，以及8英寸碳化硅功率晶圆厂和业界广泛的SiC产品组合、应用市场和客户群覆盖。英飞凌推出的 新一代CoolSiC ™ MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。 在GaN方面，自去年10月完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems）以来， 目前英飞凌的氮化镓产品组合包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。

在技术市场方面，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区技术市场负责人陈志豪和英飞凌科技高级技术总监、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区技术市场负责人陈立烽则从技术应用的角度介绍了英飞凌宽禁带产品如何助力能源效率提升。 在Si 、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比中，虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用 ；结合CoolSiC™和CoolGaN™的技术特性及优势，英飞凌分别在不同领域都有典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN™双向开关在微型逆变器中的应用等。

在英飞凌举办的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）分论坛上，来自英飞凌及行业内的近20位嘉宾，从市场趋势、应用方案、技术创新等多个维度为与会者呈现了两场精彩的宽禁带半导体知识盛宴。市场趋势上，深入剖析了新能源汽车、光伏、储能、服务器电源等关键领域对宽禁带半导体需求的快速增长，同时，随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，宽禁带半导体将迎来更加广阔的发展空间。

在绿色能源与工业展区，英飞凌重点展出的亮点产品和解决方案包括用于光伏发电的四路2000V 60A MPPT EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 3B碳化硅模块，该模块可以在简化系统设计的同时，提高功率密度、降低总体成本；还有光伏组串逆变器EasyPACK™ 模块，该模块由950V IGBT7和1200V SiC二极管构成, 能有效降低IGBT的开关损耗；同时还有专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发的62mm封装2000V CoolSiC™ 半桥模块。此外，业内领先的2kV CoolSiC™ 单管以及英飞凌第二代CoolSiC™ 单管均有展出。

在功率电源领域，英飞凌6月最新推出的中压CoolGaN™ 器件也重磅亮相，与之相匹配地还展出了基于英飞凌中压氮化镓的2KW马达驱动解决方案。此外，240W USB-PD适配器1C展品采用了数字控制XDPS2222 Combo IC CrM PFC + 混合反激HFB + GaN，展示了英飞凌高功率、单端口的数字电源解决方案。

除了元器件，英飞凌还通过“智能电磁炉参考设计”展示了其卓越的一站式解决方案能力。该参考设计涵盖了打造高端电磁炉所需的全套解决方案，包括先进的微控制器、IGBT、栅极驱动器、电流传感器、CAPSENSE™ HMI、麦克风以及无线连接组件，有效加速开发进程。这款全功能入门套件凭借其先进功能可助力客户的电磁炉解决方案在未来几年内保持行业领先地位。

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