重磅新品发布 | 英飞凌全新一代氮化镓产品

据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。随着2023年对GaN Systems公司的成功收购，英飞凌今年陆续发布多款氮化镓系列新品，并表示将扩大CoolGaN™的优势和产能，确保英飞凌在GaN器件市场供应链的稳定性。

• 新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造

  
  

• CoolGaN™ G3 中压晶体管，覆盖了 60 V、80 V、100 V 和 120 V 的 CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及 40 V 双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用

  
  

• 基于GIT的新一代高压产品650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用

• CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本

  
  

• CoolGaN™ BDS 40 V：基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关，能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET

  
  

• 相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本

  
  

• 目标应用和市场涵盖移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等

• 2 kV 的静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护

  
  

• 电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间

  
  

• 具有极高的兼容性

  
  

• 目标应用和市场涵盖消费电子设备的充电器和适配器