新品情报｜英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
技术日新月异，我们每天都走在创新的路上，获取前沿的领域知识，并转化为自己的成果，创造出更适合用户的产品。 在这一路上，贸泽电子始终会伴你左右，并随时提供新的采购情报，希望借此能为你带来更多创新和灵感。 以下是本周新品情报，请及时查收：
能源转换新篇章
英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET
贸泽电子即日起开售 英飞凌公司 的 CoolSiC™ G2 MOSFET 。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。G2的散热能力提高了12%，并将CoolSiC™的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%（取决于负载条件），具有出色的节能效果。
CoolSiC™ G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。
???? 英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET
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