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Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能

QorvoPower

最新更新时间：2024-01-30

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全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）近日发布一款 符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品 ；在紧凑型D2PAK-7L封装中实现业界卓越的9mΩ 导通电阻R _DS(on) 。此款750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品，导通电阻值最高可达60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等电动汽车（EV）类应用。

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。全新的750V系列产品是对Qorvo现有的 1200V 和 1700V D2PAK封装车用SiC FET的补充，打造了完整的产品组合，可满足400V和800V电池架构电动汽车的应用需求。

Qorvo电源产品线市场总监Ramanan Natarajan 表示：“这一全新SiC FET系列的推出彰显了我们 致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺 ，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”

这些第四代SiC FET 采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置，将SiC JFET与硅基MOSFET合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S的主要特性包括 ：

阈值电压V _G(th) ：4.5V (典型值)，允许0至15V驱动电压
较低的体二极管V _FSD ：1.1V
最高工作温度：175°C
出色的反向恢复能力：Q _rr = 338nC
低栅极电荷：Q _G = 75nC
通过汽车电子委员会AEC-Q101认证

有关Qorvo先进功率应用SiC解决方案的更多信息，请点击 “阅读原文” 。

功率器件方面的技术和见解。">

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