探展ing | 东芝精彩亮相PCIM Asia 2024

创新浪潮奔涌不断

科技书写磅礴篇章

8月，热浪犹存，秋凉待至

PCIM Asia 2024重磅来袭

东芝携芯知识、芯技术、芯亮点活力亮相

吸引众多同行前来打卡，人气爆棚！

此次PCIM Asia 2024，不仅是一场技术的交流盛宴，更是推动产业升级与合作的桥梁。东芝作为电子电力行业的先锋企业，继续以专业视角向观众展示更多安心、可靠、高效的技术产品和方案，旨在为更多客户提供帮助，进而更好地为社会可持续发展提供服务。接下来就随芝子的脚步一起围观此次的展品吧！

东芝推出的4.5 kV双栅极RC-IEGT，具有分离的空穴控制栅极(CG)与主栅极(MG)。这款新型双栅极RC-IEGT结构具备以下三个特点：

???? 在IEGT模式下可降低关断损耗。

???? 在二极管模式下减少反向恢复损耗。

???? 结合栅极控制技术，实际测量值中总开关损耗可降低16%，而导通损耗没有任何增加。

东芝IEGT可适用于发电到输配电、再到应用的整个能源链，其采用PPI压接式封装实现高可靠性、高散热性。此次展出，东芝更新了3300 V~6500 V的PPI压接式产品线，新增多款产品，如ST1000GXH35、ST1500GXH35A等，这些产品覆盖了不同电压和电流等级，可以满足不同客户需求。

基于半桥拓扑的子单元，东芝与第三方合作共同开发的压接组件方案采用了两颗ST2000GXH32（4.5 kV／2 KA／内置二极管的压接式封装）IEGT，适用于新客户进行双脉冲测试，以便他们能够快速了解东芝器件的性能，从而缩短开发周期，具备高可靠性和高效率。

针对直流无刷电机，东芝提供了高集成度的智能模块，具备过流、过温、低电压保护功能，确保电机运行的稳定性与安全性。此外，东芝智能功率器件提供贴片封装和直插封装形式，客户可根据需求选择。值得一提的是，东芝首次展出的“TPD4163K、TPD4165K”两款产品，采用HDIP30紧凑封装，有助于缩小电机驱动电路板的尺寸。

此次东芝展出了已经量产的全系列碳化硅MOS模块，涵盖 1200 V 、 1700 V 、 2200 V 、 3300 V 电压，具备低杂散电感、低热阻、高可靠性等特点。在这些展品中，东芝的“ MG800FXF1ZMS3 ”和“ MG800FZF1JMS3 ”，采用第三代 SiC MOSFET 和 SBD 芯片，通过银烧结内部键合技术和iXPLV封装，有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。

本次展出东芝还带来了碳化硅应用案例：SiC MOSFET的3相逆变器。其采用1200 V SiC MOSFET，为18 kW电机提供强大驱动，适用于工业设备等应用。在仅250 mm×145 mm的精巧电路板上，巧妙整合了SiC MOSFET、光电耦合器和运算放大器等关键元件，实现节能降耗。

内置SBD、低损耗、易设计是东芝碳化硅MOSFET的代名词，可应用于充电桩、数据中心、新能源发电、马达等领域。主要特点包括：低二极管导通电压、低R on ×Q gd 、V GS 控制范围宽(驱动易设计)。

目前，东芝车载分立器件被广泛应用于电子助力转向、引擎／变速系统、刹车系统、车载空调系统等设计中。产品系列包含了功率器件、小信号器件以及光半导体器件，这些器件在确保车辆的性能和安全性方面扮演着至关重要的角色。