10月24日|泰克云上大讲堂—高耐久性氧化铪基铁电晶体管器件与应用

最新更新时间：2024-10-21

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高耐久性氧化铪基铁电晶体管（FeFET）器件在新型存储和计算领域表现出色。FeFET器件结合了高读写速度、高集成密度和低功耗的特点，在大数据和人工智能驱动下的边缘智能设备中显示出广阔的应用前景。然而，其耐久性不足的问题仍是主要挑战，限制了其在高频动态更新和实时学习等应用中的表现。通过铁电材料和界面协同优化等新方法，FeFET器件在耐久性和存储密度方面取得了显著提升。为应对新应用需求，高端测试设备对于FeFET器件的研发至关重要。

2024泰克云上大讲堂将邀请 北京大学集成电路学院研究员、博士生导师唐克超 ， 探讨高耐久性氧化铪基铁电晶体管的最新研究进展及其在新型计算架构中的应用，分析FeFET器件的未来发展趋势和测试需求 。

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本期直播预告

■ 铁电器件的发展现状与挑战

■ 铁电器件的发展现状与挑战

a. 氧化铪基铁电材料耐久性机理研究

b. 基于铁电-界面协同优化的高耐久性FeFET

c. 兼具高耐久性与存储密度的FeFET

■ 高耐久性氧化铪基FeFET的应用

■ 氧化铪基FeFET的相关测试与需求

■ 总结与展望

直播日程安排

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时间

2024年10月24日（周四）14:30-15:30

讲师介绍

唐克超

北京大学集成电路学院研究员、博士生导师

唐克超博士于2017年9月获得美国斯坦福大学博士学位，2020年入选海外高层次人才引进计划青年项目，任北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。主要研究方向为基于过渡金属氧化物的铁电存储器与新型传感器件，包括材料的物理原理与调控方法、器件的结构设计与性能优化、以及面向集成电路的新型应用。以第一/通讯作者在Science, Science Advances, Advanced Materials, Nano Letters, IEEE IEDM等期刊和会议发表学术论文，总文章数70余篇，google scholar总引用数3900余次，h因子26。作为项目负责人承担国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目等国家级项目，担任VLSI-TSA，CSTIC等国际会议技术委员会会员。

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