三星3nm良率竟是0

6月24日消息，据媒体报道，三星可能创造了半导体历史上最大的玩笑。

近日行业分析人士称，高通将成为三星Galaxy S25系列的独家SoC供应商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期而无法出货。

这似乎佐证了此前韩媒爆料的，三星在试生产Exynos 2500处理器时，最后统计出的良率为0%。

根据推算，三星在整个3nm项目中，投资高达共投资了1160亿美元（约合人民币8420亿），这还不包括后续两座3nm工厂的建设费用。

这一结果对三星而言无疑是一次沉重打击，其3nm工艺被寄予厚望，能够提供更先进的制程技术和更有竞争力的价格。

自三星2022年6月宣布量产3nm工艺以来，关于其良率的报道众说纷纭，2023年5月，三星宣称其3nm良率可达60~70%，7月，机构Hi Investment & Securities也称三星3nm良率达60%，但在10月，另一家韩媒Chosunbiz称三星3nm良率仅约50%，并且在今年1月补充称，三星计划在半年内将第二代3nm制程的良率提升至60%以上。

三星3nm良品率低的主要问题在于其GAA工艺依旧不够稳定，这直接影响了良品率的提升。

据悉，GAA（Gate-All-Around FET）是一种全环绕栅极晶体管，被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者，实现了栅极对通道之间的四面环绕，每一面都有接触，与通道的接触面积更大，因此能实现相比FinFET更好的开关控制，解决大部分可能的电流泄漏，并且GAA的沟道控制能力更强，尺寸可以进一步微缩。

此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化非常有利，有助于实现更好的PPA优势。

而目前主流的FinFET工艺（ 鳍式场效应晶体管 ）在制程微缩到5nm之后，基本就已经达到了物理极限，鳍片距离太近、漏电重新出现，物理材料的极限都让3D FinFET晶体管难以为继。