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技术文章 | 如何为降压应用选择合适的Buck转换器和控制器?

最新更新时间:2024-06-26
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01  DCDC降压稳压器是什么


DC-DC电源中常用的降压稳压器,依靠两个功率开关管来执行开关功能。开关管在控制器的驱动作用下,以一定的 占空比交替 在电感里存储能量并释放给负载。一般从芯片是否集成了开关管来区分DCDC降压稳压器: 降压转换器(集成功率开关管) 降压控制器(外置功率开关管)

图1  SCT2A23降压电路


降压转换器 如图1由一颗SCT2A23芯片、一个功率电感L1及输入输出电容,构成了100V输入转换成12V输出的降压电路,功率开关管集成在了芯片内部,如图2所示HS、LS。

图2  SCT2A23 芯片内部框图


降压控制器 如图3所示, 芯片内部 无功率开关管

图3 SCT82A30 降压控制器内部框图


如图4所示,降压控制器内部 只有控制电路 故而叫控制器。 需外加功率开关管才能构成一个完整的降压电路:由SCT82A30、两个功率开关管Q1和Q2、功率电感L1及输入输出电容,构成了100V输入转换成5V输出的降压电路。

图4 SCT82A30降压电路




02  转换器与控制器的应用特点



同步Buck转换器与控制器到底孰优孰劣涉及诸多考量,如 功率需求、空间约束、成本控制 等。



实际应用中,转换器主要用于较高电压转换至较低压的输出,比如12/24/48V转5V,5V转1.2V/1.8V等。这类应用下, 下管会有更长的导通时间 ,因此 下管比上管更低的Rdson设计 ,有利于 均衡上下管所产生的导通损耗 和覆盖大部分应用需求。如图5 SCT2A23,上管Rdson是530mΩ,下管Rdson是220mΩ。


图5  SCT2A23部分参数

因此对于某些大占空比输出特殊应用场合时,由于内部MOS固定,转换器可能 不能实现标称的最大电流能力输出 。控制器则可根据应用需求 灵活选择不同的外置MOSFET ,调整上下管的功率损耗分配。


03 如何正确选择Buck控制器的功率MOS


功率MOS作为Buck系统 功率路径的阀门与功率损耗的承载者 ,选好功率开关管对电源系统的高效稳定运作十分重要。这需要 系统效率/温升情况/空间尺寸/成本 等多维度综合考虑。

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功率MOS的耐压

MOS管的漏源耐压需要大于开关节点的最大关断震荡尖峰电压,这需要考虑最大输入DC电压下的SW节点尖峰电压 V SW _ PEAK = V IN _MAX +V NOISE 如图6仿真值

在初步选项时,通常耐压可以先以 V DS >120%×V IN_ MAX 安全裕量 进行考虑。噪声电压 V NOISE 是由功率环路寄生杂感在快速的di/dt开关变化下产生,调试时可以 通过减缓开通关断速率或增加RC吸收的方式降低 ,确保 V SW _ PEAK 在MOSFET安全耐压内。


图6 开关节点电压尖峰

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控制器驱动MOS的损耗分析

为确定MOSFET是否适合某一应用,需要先计算其 功率损耗 温升情况 ,再去考虑哪些 关联参数 可以优化。
首先,MOSFET上产生的总损耗 P Total =导通 P CON +开关损耗 P SW
如图7 两部分能量损耗:


图7  MOSFET功率损耗构成

导通损耗 P CON 通过欧姆定律 即可得出,D为导通占空比: (1)


上管开关损耗依据 如下公式,开通与关断分别是在电感电流的谷值和峰值进行动作(2)


开关MOS管的开启关断过程如下图8所示,开关过程的损耗发生在 电流电压的极速变化区间 ,从栅极电压升至 V GS _th 阈值电压到米勒平台结束的时间,记作 tf ,从米勒平台开始到栅极降至 V GS_th 阈值电压的时间,记作 tr

图8  MOSFET开通关断过程


tr和tf是与控制器的 内部驱动参数 外置MOS的特性参数 相关,如图9所示的驱动环路,其计算可根据电荷量公式Q=I×t 近似得出 (3)

图9   控制器驱动MOSFET的驱动环路

式中 R G 为控制器驱动端外部串联到MOSFET栅极的 驱动电阻 R ON_H R ON_L 分别是控 制器驱动端内部的 导通漏源阻抗 ,如下图截取控制器SCT82A30电气性能表格中列出的 Gate Driver值

因此,MOS管的 总栅极电荷量 Qg、 开通阈值电压 V GS_th 、驱动器内部的 漏源阻抗 R ON 以及 驱动电压 VDD,对MOS管在高速开关过程中的 开关损耗 有较大的影响。

下管的开关瞬态过程损耗,主要是死区时间内体 二极管的续流损耗 ,损耗值

P SW_L 可由(4)

其中 t LGD_DT t HGD_D T 分别是上管导通时的死区时间和下管导通时的死区时间。 规格书中分别是 25n s 22ns。


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确认极限应用时的内部结温(热阻)

除了损耗,需要对器件进行 热评估 ,初步判断所选MOS管的结温情况能否满足所需,确保 结温限制在 一定安全裕量。不同的热特性参数(热阻)描述的是 因损耗产生的热在不同传播路径的阻抗 ( 如图10)。

图10  封装器件热传递路径


两节点之间的温度差( ΔT )=两点之间的热阻值 R θ ×在器件上的总损耗 P Total

初步评估通常使用热阻值RθJA( 结温到环境温度的热传递路径) 和RθJC(结温到器件壳表面中心热传递路)(5)



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SCT82A30是一颗5.5V-100V输入的同步降压控制器,可以提供驱动端2.3A和3.5A栅极拉罐电流能力, 有效降低对外置MOSFET结电容等参数的要求 ,实现大功率大电流场景应用。内部提供7.5V稳压源, 用于驱动外部MOSFET开通于合理的线性区

图11  外部供电VCC图示


芯片可选两种外部电源供电为VCC供电,降低了芯片在高输入电压时内部LDO耗散的功率, 降低发热, 提高系统整体效率。当EXTVCC超过4.7V时关闭内部LDO、接通到VCC。如图12在48V/72V应用时,使用外部EXTVCC带来 13% 效率提升

图12  SCT82A30外部供电效率差异


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