力旺电子今宣布与西门子连手推出突破性的 SRAM 修复工具。该解决方案将西门子的Tessent™ MemoryBIST软件与 eMemory的NeoFuse OTP整合,主要应对具高密度SRAM之先进AI SoC的需求。
当今的AI芯片对于配备AI语言模型、数据处理器(DPU)和静态随机存取内存内运算(SRAM-based CIM) 架构的需求日趋增加,然而,工艺微缩及密度急剧增加对SRAM的制造、良率和可靠度带来可观的挑战。随着SRAM密度增加,故障位发生机率也更高,因此,芯片内建的自动修复 (built-in self-repair; BISR) 技术和一次性可编程内存 (OTP) 在提升良率上就扮演着更重要的角色。
作为业界领先的内存测试解决方案,西门子Tessent MemoryBIST实现了片上内存全面自动化的全速测试、诊断、修复、调试和特性鉴定。 其中,力旺OTP在存储故障位方面发挥着重要作用。此整合解决方案标榜优化的OTP编程效率,并适用于各式 SoC 总线协议设计。与 eFuse 的区别在于,NeoFuse 内建自我检测机制,在不需增加多余电路下, 于部署后可持续进行自动检测和修复。这项优势对于车载应用等高阶芯片至关重要。
「力旺的OTP通过了台积电N5、N5A和N4P的严格认证,具有近乎完美的良率、可靠度、面积和成本效益。西门子Tessent MemoryBIST与eMemory NeoFuse OTP的全面整合,以最大效率支持客户实现可靠的AI芯片设计。」力旺电子资深业务开发副总卢俊宏先生表示。
「在全球 IC 市场向人工智能技术的典范转移过程中,需要创新的解决方案。」西门子数字设计创作平台Tessent资深副总裁暨总经理Ankur Gupta表示。「Tessent MemoryBIST与eMemory OTP的预整合方案有助于先进AI芯片开发商以低成本实现快速上市、高良率和出色的可靠度。同时,此解决方案亦能帮助客户优化其整体设计的功耗、性能和面积。」
注:相关西门子商标列表可在此处找到
上一篇:研华携手伙伴打造多元Edge AI生态体系 助力产业应用升级
下一篇:科德宝集团掌舵者交接:Claus Möhlenkamp将于2025年7月1日接替索伊博士担任管理委员会主席
- 使用 Analog Devices 的 LT3467AIS67 的参考设计
- TLV431 基本系列稳压器的典型应用
- ADR361B、2.5V 低功耗、低噪声负参考电压的典型应用
- 具有外部直流电压的模拟调光的典型应用,适用于 A8511、2 MHz、4 通道 x 150 mA WLED/RGB 驱动器,输出断开
- CY8CKIT-030A,PSoC 3 开发套件,用于 8 位和 16 位应用的可编程片上系统平台
- MIC706PMY微处理器电源监控电路的典型应用
- LTC3772EDDB 演示板,550kHz 降压型 DC/DC 转换器,VIN = 2.75V-8V,VOUT = 1.8V @ 2A
- LT1021BMH-10 电压基准的典型应用,将 10V 单元调整为 10.24V
- IP5306移动电源方案
- LT8570EDD-1 12V 电池稳定器的典型应用可承受 40V 瞬变