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FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectric film）。
本公司的FRAM里使用了PZT（锆钛酸铅）的铁电物质，其结晶结构如右图所示。
方格中的Zr （锆）或Ti （钛）离子有两个稳定点，其性质是在外部电场作用下会改变位置（铁电性）。定位于任一稳定点后，即使撤掉电场，其位置也不会发生改变。即记忆了极化状态。
铁电膜的上下设置有电极，构成电容器，标示出电极电压及极化量时，能够实现磁滞（过程），从而能够记忆“1”或者“0”。
铁电存储器就是利用了这种非易失性。
虽然EEPROM或闪存也会根据元件内的存储区域是否有电荷来记忆数据，但FRAM是根据极化的方向来记忆数据的，所以两者具有不同的记忆方式。
FRAM的特长FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
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产品系列
FRAM产品可分为两个系列。
分别是以SOP/SON等封装产品形式提供的“独立存储器”和FRAM内置的RFID用LSI以及验证LSI等的“FRAM内置LSI”。
另外，根据客户的要求，开发和供应最大限度发挥应用优势及性能的FRAM内置定制LSI。
阵容串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品，以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外，正在扩充1.8V工作产品。封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外，还提供可穿戴设备用SON（Small Outline Non-leaded package）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封装形式的产品。
同时，使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。
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FRAM保证了高速写入以及最大10兆次的读写次数，因此被应用于需要“连续读写数据”、“三维位置信息实时记录”、“完整保护数据”，并连续读写数据的应用中。满足了“省去保持数据用的电池”、“反复读写而需要读写次数多的存储器”、“保存断电前瞬间数据”等要求。
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产品 1—— 作为1Mbit 串行FRAM，公司开发了业界尺寸最小的超小型封装
本公司新开发面向1Mbit FRAM“MB85RS1MT”的8引脚晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）并开始供货。
与传统业界标准SOP封装相比，WL-CSP大约为SOP的23%，能够减少约77%的安装面积。而且，本WL-CSP的厚度为0.33mm，约是信用卡的一半，从安装体积比来看，能够减少大约95%的体积。
另外，与同为非易失性存储器的通用EEPROM相比，MB85RS1MT的写入时间较短，从而能够大幅降低写入时的功耗。
因此，将该FRAM引入需要频繁实时记录原始数据的可穿戴设备，将有利于延长电池的使用寿命或实现电池的小型化。
产品 2—— 开发出能够以54Mbyte/秒的速度传输数据的4Mbit Quad SPI （四串行接口）FRAM型封装本公司开发出了在Quad SPI接口非易失性RAM市场里最大容量的4Mbit FRAM “MB85RQ4ML”，并开始提供产品。
本产品采用1.8V的独立电源，Quad SPI接口，并以108MHz的动作频率实现了54Mbyte/秒的数据传输。本公司的传统产品中，具有16bit输入输出引脚的44引脚的并行接口的4Mbit FRAM的最快，为13Mbyte/秒，而本产品以较少的引脚实现了相当于4倍速度的数据读写。
因为具有高速动作及非易失性的特点，MB85RQ4ML成为网络、RAID控制器、工业计算领域的最佳选择。
产品 3—— 面向车载，开发出满足125°C工作要求的SPI接口 FRAM
本公司的FRAM广泛应用于电力仪表、办公设备及产业设备市场。目前提供的FRAM高温端最大工作保证温度为85℃，但为了适应车载设备市场的要求，公司正在开发将工作温度提高至125℃的面向车载的FRAM产品。
该新产品不仅将工作温度提高至125℃，而且为了满足车载设备市场的高质量要求，公司重新评估和修改内部设计回路，提高产品可靠性。车载用FRAM依据AEC-Q100（*1）可靠性试验标准，可满足PPAP（*2）。
如今围绕车载设备的环境，废气排放得到严格限制，并要求低能耗，且安全装备等都是利用电子器件进行复杂控制。为了实现低能耗，就需要更多的使用断电后仍能保留数据的非易失性存储器。另外，出现问题时，因为重要的原始数据都须保留在存储器中，这就要求存储器具有高可靠性及快速写入的性能。
本公司生产的高可靠性、高性能FRAM非易失性存储器满足了车载设备市场的上述需求。
关于车载FRAM的详细情况，请查阅本公司的WEB网站或者咨询销售公司。
*1 ：AEC（Automotive Electronic Council）
*2 ：PPAP（Production Part Approval Process）
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非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。因此，仅仅通过能量回收产生的微小电动势，就能将数据写入FRAM，因此，除能量回收以外，即使没有电池电源，也能够写入数据。实际上，我们已确认内置有FRAM的演示设备已经能够在没有电池的状态下写入数据。
也就是说，FRAM通过自身的“非易失性”及“高速写入”，实现了低能耗，为无电池技术提供了解决方案。
● 只要旋转表盘就能记录转数（无电池）
iC-Haus公司是本公司的业务伙伴，提供使用韦根线技术、内置有FRAM的演示设备。通过该演示设备，已确认仅仅利用旋转表盘产生的电动势，就能将表盘转数写入FRAM。请在介绍FRAM的WEB网站中观看演示设备的实际操作视频。
● 只要弯曲软质纤维板就能记录转数（无电池）
我们以MUNEKATA公司（*1）提供的树脂系列压电元件的软质纤维板（91mm×55mm，名片大小）为能量回收电源，开发了内置FRAM的演示设备。通过该演示设备，已确认仅仅利用弯曲软质纤维板产生的电动势，就能将弯曲次数写入FRAM。
*1 ：MUNEKATA株式会社（MUNEKATA Co., LTD）提供采用喷涂工艺制作的树脂系列压电元件。
