内容简介
电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
Nexperia采用级联结构的Cascode
GaN，与传统Si-FET兼容的行业标准驱动器，驱动线路设计非常简单。采用久经考验的SMD
CCPAK铜夹片封装技术，以真正创新的封装提供了业界领先的性能，同时提供顶部散热和传统的底部散热设计以增加设计灵活性并进一步提高散热能力。
技术资料
● 《安世半导体的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册》
● 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)——高效且富有成效的高功率FET
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直播主题
安世半导体（以下简称“Nexperia”）高功率 GaN FET 助力新一代高效的电源设计
直播时间
2020年9月17日（周四）上午10:00-11:30
直播内容
电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
Nexperia采用级联结构的Cascode
GaN，与传统Si-FET兼容的行业标准驱动器，驱动线路设计非常简单。采用久经考验的SMD
CCPAK铜夹片封装技术，以真正创新的封装提供了业界领先的性能，同时提供顶部散热和传统的底部散热设计以增加设计灵活性并进一步提高散热能力。
技术资料
● 《安世半导体的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册》
● 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)——高效且富有成效的高功率FET
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陈秋明
Nexperia GaN FET首席应用工程师
陈秋明先生于2008起一直从事能源相关研发工作，在能源电源及半导体行业拥有10年以上的工作经验。于2018年加入Nexperia，担任首席高功率GaN FET的应用工程师，负责产品线在大中国区的产品推广及技术支持，对高功率GaN FET的优越性能及其在工业、汽车行业的应用方面拥有丰富的知识及经验。
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