碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。通过将芯片作为独立组件或与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管，它是进一步扩展
IGBT技术的重要部分。
由于存储电荷少，所以可以显着降低现代 IGBT 的导通损耗，因此与相应的纯硅基解决方案相比，可以实现更高的开关频率和/或更高的电流处理能力。
碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比，它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是，碳化硅具备更高的击穿电场强度和导热率，可以制造出远超相应硅基的器件。这样您就可以在设计中实现原本无法企及的效率水平。
英飞凌CoolSiC™半导体解决方案是迈向节能世界的一大步。将革命性的SiC技术与我们充足的的系统知识、一流的封装和卓越的生产工艺相结合，使您能够开发先进的高系统性价比新产品。 >>了解更多英飞凌CoolSiC™ 半导体解决方案
CoolSiC™ 产品选型手册
针对1-80 kW三相功率系统的丰富的1200 V CoolSiC™ MOSFET 分立器件
TO-247
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SMD
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|---|---|---|---|
| Rdson [mOhm] | 1200 V TO-247 3 Pin | 1200 V TO-247 4 Pin | 1200 V D2PAK-7 Pin |
| 30 | IMW120R030M1H | IMZ120R030M1H | IMBG120R030M1H |
| 45 | IMW120R045M1 | IMZ120R045M1 | IMBG120R045M1H |
| 60 | IMW120R060M1H | IMZ120R060M1H | IMBG120R060M1H |
| 90 | IMW120R090M1H | IMZ120R090M1H | IMBG120R090M1H |
| 140 | IMW120R140M1H | IMZ120R140M1H | IMBG120R140M1H |
| 220 | IMW120R220M1H | IMZ120R220M1H | IMBG120R220M1H |
| 350 | IMW120R350M1H | IMZ120R350M1H | IMBG120R350M1H |
我们有全球最丰富的 CoolSiC™ MOSFET Easy 封装产品
Rdson EasyDUAL™ Easy Booster EasyPACK™
| [mOhm] | 1200V Halfbridge | 1200V Booster | 1200V H-Bridge | 1200V SixPACK |
|---|---|---|---|---|
| 45 | FF45MR12W1M1_B11 | FS45MR12W1M1_B11 | ||
| 23 | FF23MR12W1M1_B11 | DF23MR12W1M1_B11 | F4-23MR12W1M1_B11 | |
| 11 | FF11MR12W1M1_B11 | DF11MR12W1M1_B11 | ||
| 8 | FF8MR12W1M1_B11 | |||
| 6 | FF6MR12W1M1_B11 |
| 图片 | 型号 | 描述 | 目标应用 |
|---|---|---|---|
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EVAL-PS-E1BF12-SIC |
该板的目的是评估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET模块。 评估板允许进行双脉冲测量以及DC / DC转换器的功能测试。因此，该板设计为双向降压 - 升压转换器。 |
● 太阳能系统解决方案 ● 不间断电源 |
