直播时间：4月20日 上午10:00-11:30

直播主题：基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见

直播内容：

无论是开关电源还是马达驱动，工程师们通常都在孜孜不倦地追求三“高”：更高的效率，更高的功率密度，以及更高的可靠性。可是现有PCB空间已经非常狭小了，如何实现这些目标？这通常困扰着设计工程师。为了解决大家困扰已久的问题，英飞凌创新地推出了基于Source-down技术的全新功率OptiMOS™ MOSFET，就是为了帮助客户工程师解决这些设计挑战。本次直播英飞凌与合作伙伴品佳集团一起为您全面详细的介绍英飞凌创新的OptiMOS™ MOSFET。为您今后的设计提供新的思路，绝对物有所值。

产品介绍：

围绕 OptiMOS™ 低压功率MOSFET，英飞凌推出了“源极底置(Source Down)”的概念，它不仅是“芯片内部结构的翻转”，同时也对整个封装进行了优化。通过优化芯片内核以及转接夹片，极大地降低了导通电阻RDS(on)，同时热阻RthJC也显著降低。 另外，源极底置(Source Down)技术提升了MOSFET的最大连续和脉冲漏极电流能力，使电气工程师能够显著提高产品设计的功率密度。 点击图片观看Source-down技术更多介绍

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