本应用手册记载了为了计算半导体芯片在实际动作时的结温，使用热电偶测量封装背面温度时的注意点。

本应用笔记介绍了从分立半导体器件的结到外壳的热阻测量方法和使用方法。

SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。

本应用笔记记载了 SiC MOSFET 方案的开关电路根据测得的开关波形计算 SiC MOSFET 的功率损耗的方法。

本应用手册的目的，是在于阐明 MOSFET 的栅极和源极之间浪涌产生的原因，并提出最适合的应对方法。

这份应用笔记会对栅源极间电圧测定的注意点予以说明。

在 SPICE 模型中，有与热仿真相关的被称为热模型的仿真模型。本应用笔记就热模型设计的相关方法进行说明。

本应用笔记着眼于 MOSFET 桥式电路的各 MOSFET 的 Gate-Source 电圧，介绍开关动作的详细内容。

本应用笔记中，将对漏极源极尖峰抑制方法之一的缓冲电路的设计方法进行说明。

本应用手册专门就功率元器件使用驱动源极端子所产生的效果和使用注意事项进行说明。