三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代

4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。

DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。

▲ 图源 Semiconductor Engineering

三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。

相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。

相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。

3D DRAM 市场有望于 2028 年达到 1000 亿美元（当前约 7240 亿元人民币）。为了同其他主要内存制造商竞争，三星已于今年初在美国硅谷开设了一家新的 3D DRAM 研发实验室。