SK 海力士：12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成，下半年整体内存供应可能面临不足-电子工程世界

4 月 25 日消息，据韩媒 Viva100 报道，SK 海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其 12 层堆叠（12Hi）HBM3E 内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。

目前三星电子已发布其 12Hi HBM3E 产品，该内存单堆栈容量达 36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。

SK 海力士表示，今年客户主要聚焦 8Hi HBM3E 内存，SK 海力士将为明年客户对 12Hi HBM3E 需求的全面增长做好准备。

HBM3E 内存在价格方面相较 HBM3 更为昂贵，因为新产品可提供更大的带宽和容量。

电话会议上，SK 海力士称，其将优先确保拥有更高附加值且需求能见度更高的 HBM 内存供应；HBM 内存芯片尺寸又是常规 DRAM 的两倍。

这些因素会相对挤压常规 DRAM 的晶圆投片量，预计下半年产能将受到限制。

SK 海力士预估，如果下半年 PC 和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。

对于未来的 HBM4 内存，SK 海力士表示混合键合技术的应用将被推迟，因为该技术存在较大难度，贸然引入会对产能和质量带来风险。

SK 海力士将在 16Hi HBM 中沿用现有的 MR-MUF（批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill）键合技术，待到混合键合成熟后再进行使用。

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