铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

发布者:BlissfulSpirit最新更新时间:2024-06-28 来源: IT之家关键字:铠侠  NAND 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

6 月 28 日消息,铠侠(Kioxia)结束为期 20 个月的 NAND 闪存减产计划,日本两座工厂生产线开工率提升至 100% 之后,上周披露了其 3D NAND 路线图计划。

根据 PC Watch 和 Blocks & Files 的报道,铠侠目标在 2027 年达到 1000 层的水平。

IT之家援引媒体报道,3D NAND 在 2014 年只有 24 层,到 2022 年达到 238 层,8 年间增长了 10 倍。而铠侠目标以平均每年 1.33 倍的速度增长,到 2027 年实现 1000 层堆叠。

三星在上个月表示,计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片,其中铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)将成为这项成就的关键。

在摘要部分中写到,在金属带工程栅极中间层(BE-G.IL)、铁电(FE)开关、沟道中间层(Ch.IL)和硅(MIFIS) FeFET 架构中,使用 FE 开关相互作用,来显著提高性能,表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

在 3D NAND 闪存的层数挑战上,铠侠似乎比三星更有野心。

首先是政策和资本扶持,铠侠受益于内存行业的复苏,最近获得了日本政府的补贴和银行财团的额外融资,此外该公司还计划今年年底 IPO 上市,让铠侠有充足的资金,追求技术进步和成本优化。

其二是技术演进和积累,铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit / mm2,实现 1000 层。

提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是在芯片上堆叠更多层,因为每层的边缘都需要暴露以进行字线电气连接。这为芯片提供了阶梯状轮廓,随着层数的增加,阶梯所需的芯片面积也会增加。

铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000  层技术,这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而,要达到这一里程碑,就必须从 TLC(每单元 3 位)过渡到 QLC(每单元 4  位),甚至可能过渡到 PLC(每单元 5 位)。其中涉及的技术挑战是巨大的,铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。


关键字:铠侠  NAND 引用地址:铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

上一篇:摩尔定律没有死去,而是一直在推进:看英特尔如何延续摩尔定律
下一篇:封杀“芯片之母”EDA:美国厂商几乎垄断行业,没它不能做芯片

推荐阅读最新更新时间:2024-11-16 22:28

消息称因估值分歧过大放弃原定本月 IPO:投资者欲大致砍半到 8 千亿日元
10 月 14 日消息,据路透社日本当地时间 11 日报道,铠侠原定本月进行 IPO 的计划被取消,是因为铠侠大股东贝恩资本与外部投资者间对这家 NAND 闪存与固态硬盘巨头的估值存在巨大差异。 参考IT之家此前报道,贝恩资本对铠侠的估值大致为 1.5 万亿日元(IT之家备注:当前约 712.05 亿元人民币),这一目标高于今年截至目前为止任意一家在日 IPO 企业,但投资者的整体看法却仅有该数值的约一半,即 8000 亿日元(当前约 379.76 亿元人民币)左右。 报道指出,大多数机构投资者在 2024 年 8 月~9 月同贝恩资本的会面中认为,存储半导体行业还需要一段时间才能完全从低谷中恢复。虽然 NAND 闪存价格今年已回
[半导体设计/制造]
三星称Vista三年带来230亿美元内存显存市场
据国外媒体报道,10月20日,韩国三星电子公司在新闻发布会上表示,明年,该公司将占据全球内存市场的40%,三星电子还估计,微软公司的Vista操作系统将在未来三年内创造230亿美元的内存显存市场。 三星电子预测说,今年该公司DRAM内存销售收入有望达到100亿美元,基本上保持了过去二十多年里每年24%的增幅。三星电子表示,逐渐攀升的电脑销量,以及单台电脑所耗用内存的增加,将会继续刺激全球内存市场的增长。三星估计,明年全球DRAM内存市场将增长17%,达到350亿美元。 三星电子人士表示,明年,公司的DRAM芯片产量将会增长90%,远远超过业内60%的水平。不过,三星电子公司没有给出明年公司内存收入的预期。三星电子负责内存销售和营
[焦点新闻]
NAND Flash量增价跌,应用端快速成长
储存型闪存(NAND Flash)涨势止步。慧荣总经理苟嘉章指出,今年上半年闪存供过于求压力大,本季跌势将扩大,不过随主要品牌手机厂下半年推出新机,增加闪存搭载量,价格将止跌,价跌量增,有利应用端快速成长。 慧荣是全球闪存控制芯片设计领导厂商,是纳斯达克挂牌公司,去年闪存缺货,营运表现不如前年。 因市场认为闪存价格过高,系统厂买盘缩手,慧荣对首季及今年全年展望保守,预估首季合并营收将下滑3~7%,全年合并营收年增5~10%。 不过日前慧荣对市况看法大幅转变,对营运成长转趋乐观,原因3D NAND Flash产量快速拉升,价格下跌,已提升系统厂拉货意愿,3月拉货量增速。 苟嘉章强调,国际大厂如三星、SK海力士、东芝及
[半导体设计/制造]
三星推出全新便携式SSD T5,采用64层V-NAND,最高容量达2TB!
   三星 电子有限公司宣布推出 三星 移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘(PSSD),提升了外部存储产品的性能标准。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   T5采用 三星 最新的64层V-NAND(垂直NAND)技术和紧凑耐用的设计,具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性,使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。   三星电子品牌产品营销高级副总裁Un-SooKim表示:“三星这些年一直在推动便携式存储和固态硬盘的可行性,移动固态硬盘T5继续保持了领先地位和创新能力。我们相信,T5将通过更快的速度和轻巧而便利的坚固设计,超越消费者对外部存储的期望。它是寻求快速、耐用和安全设备的消费者和专业人士的理想便携式存
[网络通信]
消息称 SK 海力士考虑推动 NAND 业务子公司 Solidigm 在美 IPO
综合外媒《韩国经济日报》(Hankyung)与 Blocks & Files 报道,SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。 SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务,而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。 ▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 规格,61.44TB 由于内外部因素的共同影响,Solidigm 成立后不久就陷入了连年亏损,从 2021 年二季度开始 12 个季度净利润为负值。 不过近来由于 AI 推理等服务器需求的迅速增长,在企业级固态硬盘上具有领先地位的
[半导体设计/制造]
S3C2440之NAND FLASH移植到S3C2410的驱动分析
S3C2440A的NAND FLASH驱动移植到S3C2410还是有些不一样的,最主要的这两个IC的NAND FLASH的寄存器有些不一样,请看下面的两者之间不同: // // Copyright (c) Microsoft Corporation. All rights reserved. // // // Use of this source code is subject to the terms of the Microsoft end-user // license agreement (EULA) under which you licensed this SOFTWARE PRODUC
[单片机]
高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图
随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。 增加 3D NAND闪存存储容量 的一种方法是堆栈加层,但堆栈高度的增加会带来更大的挑战。虽然这些挑战中最明显的是结构稳定性问题, 但层数的增加意味着需要使用更深的通道来触及每个字线、以及更窄的狭缝沟槽以隔离连接到位线的通道(图1)。 图1:随着3D NAND堆栈超过128层,堆栈高度接近7微米,并将所需的通道孔和狭缝转变为高深宽比 (HAR) 特征,刻蚀的挑战越来越大。 高深宽比刻蚀的挑战 在硬掩膜沉
[嵌入式]
高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图
垂直型晶体管NAND闪存芯片技术恐将提前使用
在不久前结束的Semicon West2011大会上,记者获悉,在未来两到三年之内,存储芯片厂商可能会开始采用垂直型晶体管技术来制作NAND闪存芯片产品。到2013年,几家主要的NAND闪存芯片厂商如Hynix,三星以及东芝等用于生产垂直型晶体管NAND闪存芯片的试产线将准备就绪,而此后的一年或更长时间之后,有关产品的量产则会启动。另外,台湾旺宏电子也已经开始研发与此有关的NAND闪存芯片技术。 垂直型晶体管技术为何大获厂商青睐? 之所以最近NAND闪存芯片厂商开始对垂直型晶体管技术大表热衷,其原因在于要想在下一个节点制程继续发展现有的平面型晶体管技术,其成本代价将过高--影响成本的主要因素则是光刻的难度。而初期推出的采用垂
[嵌入式]
垂直型晶体管<font color='red'>NAND</font>闪存芯片技术恐将提前使用
小广播
最新半导体设计/制造文章

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved