三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈佛大学两项专利-电子工程世界

8 月 7 日消息，综合《彭博法律》和路透社报道，哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。

从起诉书中了解到，哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的发明人，哈佛大学校方是这些专利的受让人，拥有对应专利的完整权利。

这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法，分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”，哈佛大学称“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”。

哈佛大学认为三星电子在代工高通骁龙 8 Gen 1 处理器等的过程中，侵犯哈佛大学同氮化钴薄膜制备有关的专利，涉及三星 S22 智能手机等产品。

而三星在生产 LPDDR5X 等内存时，在未经授权的情况下实践了哈佛大学钨层沉积专利中至少一项权利要求的每个要素，三星的 Galaxy Z Flip5 折叠屏手机即使用了相关 LPDDR5X 内存产品。

哈佛大学在起诉书中要求三星电子停止侵权并支付未指明金额的金钱赔偿。

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