氮化镓技术（GaN）在LED应用中早已不是什么新鲜事儿，最早GaN的开发初衷就是为LED而生，之后的科研人员才开始基于GaN的高频特性，陆续在射频、功率等领域进行探索。
不过时至今日，GaN依然主要是在光源端采用，并没有在功率系统里广泛普及，谈及原因，PI资深技术培训经理阎金光（JASON YAN）阎金光表示，十几年前业界就开始进行第三代宽禁带半导体的产业化研究工作，但无论是GaN还是SiC的良率都非常低，因此成本很高。同时GaN的应用还非常难，因为是高速器件，PCB Layout非常敏感，EMI设计很难，而PI通过集成化方式，将所有设计挑战都放到了芯片内部，增加了产品的可靠性，降低了设计难度，使得GaN技术的大批量市场化应用成为可能。
不久前，PI在京召开发布会，介绍了PI的新一代PowiGaN技术，正式将GaN开关引入PI的反激式开关电源IC系列中。
PowiGaN技术已广泛应用
在2018年，采用PI GaN方案的快充产品就已问世量产，目前没有一颗料失效返厂，充分证明了产品的高可靠性。同时，GaN开关优秀的效率也得到了市场认可。
阎金光特别强调，PI的PowiGaN技术采用的是单芯片方案，并且所有的工艺都是由PI自己开发的，完全专有的技术，不会被其他厂商所利用，同时在供应链方面PI也选择的是长期稳定的代工合作伙伴，保证了产品的稳定性和可靠性。
PI CEO Balu Balakrishnan在季报电话会议上所说：“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率，实现了硅开关无法达到的功率密度水平。虽然我们最初关注这些新产品是针对移动设备的高功率充电器，但GaN在PI未来几年的路线图中将扮演重要角色，我们计划推出一系列新产品，将GaN的卓越性能特性带入更广泛的应用。”
GaN助力紧凑型高功率LED
正如Balu所说，距离宣布推出PowiGaN技术没有几天，PI就宣布将PowiGaN?技术放到LYTSwitch-6系列安全隔离型LED驱动器IC中，可通过简单灵活的反激拓扑实现高达110 W输出功率和94%转换效率的设计。
如图所示，LYT6079和6070采用了PowiGaN技术，通过更高效率实现了免散热片100W以上的输出水平，相比同系列其他产品提升了数十瓦。“产品非常适合在智能家用和商用照明以及薄型天花板凹槽灯应用。大功率密度的LYTSwitch-6设计可减小LED驱动器的高度和重量，这对于空间受限且密闭的镇流器应用而言至关重要。”PI LED照明产品营销总监HubieNotohamiprodjo表示。
阎金光补充道，由于GaN技术的耐压更高，因此相对于传统硅制程产品来说，寿命更高，非常适合照明驱动这类不易安装的关键应用中。
与LYTSwitch-6相同的高集成度
除了将开关从Si变为GaN之外，整个芯片没有任何其他变化，这和PI开发的PowiGaN技术的InnoSwitch相一致。而这也是PI的传统，此前PI引以为傲的FluxLink技术也是广泛应用在InnoSwitch和LYTSwitch上面。
如图所示，除了PowiGaN之外，LYTSwitch-6系列还具有八大优势，可实现更高度的初级侧次级侧的集成，同时不需要光耦隔离，显著降低系统功耗，提升效率并保证器件的稳定性和可靠性，同时降低系统整体成本。
新的LYTSwitch-6 IC具有极高的效率，无需使用散热片 – 可大幅减小镇流器的尺寸和重量，并降低对驱动器周边风冷环境的要求。750 V PowiGaN初级开关可提供极低的RDS(ON)，并降低开关损耗。相较于常规方案，这一改进结合LYTSwitch-6现有的诸多特性，可使功率转换效率提高3%，进而减少三分之一以上的热能浪费。
LYTSwitch-6 IC采用PowiGaN技术，可提供无损耗电流检测，有助于提高效率。LYTSwitch-6产品系列的新器件仍保留了快速动态响应等优势，可为并联LED灯串提供优异的交叉调整率，并且无需额外的二次稳压电路，同时还支持无闪烁系统工作。这些优势可以保证更加易于实现使用脉宽调制(PWM)接口的调光应用。
阎金光补充道，通过PI的集成MOSFET的HiperPFS-4PFC控制器以及Qspeed升压二极管，作为功率因数校正，再结合LYTSwitch从而实现包含PFC电路的大功率LED驱动系统，而根据PI给出的实测结果显示，效率超过了90%。
尽管目前LED驱动市场厮杀激烈，但大功率且对尺寸及效率有要求的应用，不妨采用GaN技术，一定可以显著体现出产品的差异化，正如目前适配器市场正在发生的变化一样。
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