我国半导体抗光腐蚀研究取得重大突破_历史上今天-电子工程世界

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近日，内蒙古大学王蕾研究员带领的科研团队在半导体抗光腐蚀研究方面取得新进展，“钝化层助力BiVO4抗光腐蚀研究”的相关成果已在国际化学期刊《德国应用化学》发表。

据科技日报报道，王蕾研究员表示，半导体较低的光吸收率和较高的载流子复合率是影响转换效率的首要因素，因此，如何提高光电转换效率是当前光电催化研究领域的重中之重。

科研团队通过改善材料制备工艺以及恒电位光极化测试方法，有效提高了BiVO4活性及稳定性。

研究表明，无表面助催化剂修饰下的BiVO4在间歇性测试下，可以达到100小时的稳定性，表现出超强的“自愈”特性。

此外，电化学测试显示，半导体表界面产生的钝化层和氧空位协助作用，有效减小了半导体电子与空穴复合，提高了表面水氧化动力学，从而抑制了光腐蚀。

目前，该项目已经得到国家自然科学基金等多个项目的认可支持。

关键字：抗光腐蚀半导体 BiVO4 引用地址：我国半导体抗光腐蚀研究取得重大突破

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