1.顺寻访问(Page Read)
下图的表格,来说明NAND FLASH内部结构,前面2K(0~2047)表示页数据,后边64字节(2048~2111)表示oob。
CPU想读取,第2048个数据,它是哪以一个?
是Page1的第0个字节。CPU使用某个地址访问数据的时候,是在页数据空间来寻址的。
下图为读NAND FLASH的read时序操作:
1.首先需要锁存00命令,nCE、CLE、nWE有效,0x00命令被锁存;
2.此时CLE无效,ALE开始有效,地址被锁存(从NAND FLASH的地址周期中可以看出来,先发出2个周期的col列地址,再发出3个周期的Row行地址);
3.锁存0x30命令;
4.然后会有一个busy时间段,R/nB为低电平。tRR表示busy状态的持续时间(手册上最小为20ns)。
5.开始锁存数据,nRE使能,nand上的数据被同步到数据nand控制器上。我们的nand是8bit数据位宽,所以每隔一个read时钟周期(tRC),传输1byte数据。每传输1byte数据,地址会自动往后偏移1byte,一般我们会连续读取1page数据。
下面开始写代码:
当发完命令、地址后再进行读数据前我们知道有一段时间tRR处于busy状态,我们可以通过查询NFSTAT寄存器来确定busy状态有没有结束,是不是已经ready了。
wait_ready函数等待NAND FLASH空闲,从上图可以看出当NFSTAT寄存器[0]的值为1时NAND FLASH是空闲的,我们可以通过该位来判断NAND FLASH是否繁忙。代码如下:
void wait_ready(void)
{
while (!(NFSTAT & 1));
}
nand_read函数为NAND FLASH的读函数,代码如下:
void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{
int i = 0;
int page = addr / 2048;
int col = addr & (2048 - 1);
nand_select();
while (i < len)
{
/* 发出00h命令 */
nand_cmd(00);
/* 发出地址 */
/* col addr */
nand_addr_byte(col & 0xff);
nand_addr_byte((col>>8) & 0xff);
/* row/page addr */
nand_addr_byte(page & 0xff);
nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);
/* 发出30h命令 */
nand_cmd(0x30);
/* 等待就绪 */
wait_ready();
/* 读数据 */
for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
{
buf[i++] = nand_data();
}
col = 0;
page++;
}
nand_deselect();
}
我们看到每read一个page,都要重新发送命令地址,因为这里是顺序访问,flash的读写都是以page为单位的。
软件上如何自动区分是nand启动还是nor启动?
在init.c文件中,加上如下代码,用来判断所使用的FLASH是NOR FLASH还是NAND FLASH。代码如下:
/*我们知道nand启动0地址对应片内SRAM,可以像内存一样的写0地址;nor启动,0地址对应nor,nor不能像内存一样的写地址,
**所以往0地址写入数据成功表示nand启动,写不成功表示nor启动
*/
int isBootFromNorFlash(void)
{
volatile unsigned int *p = (volatile unsigned int *)0;
unsigned int val = *p;
*p = 0x12345678;
if (*p == 0x12345678)
{
/* 写成功, 对应nand启动 */
*p = val;
return 0;
}
else
{
return 1;
}
}
下面是代码重定位时可以自动区分nand和nor启动,无论是nand启动还是nor启动,都能将程序重定位到sdram中去。
void copy2sdram(void)
{
/* 要从lds文件中获得 __code_start, __bss_start
* 然后从0地址把数据复制到__code_start
*/
extern int __code_start, __bss_start;
volatile unsigned int *dest = (volatile unsigned int *)&__code_start;
volatile unsigned int *end = (volatile unsigned int *)&__bss_start;
volatile unsigned int *src = (volatile unsigned int *)0;
unsigned int len = (unsigned int)(&__bss_start) - (unsigned int)(&__code_start);
if (isBootFromNorFlash())
{
while (dest < end)
{
*dest++ = *src++;
}
}
else
{
nand_init();
nand_read((unsigned int)src, dest, len);
}
}
2.擦除(block erase)
block erase时序图的过程大致如下:
1.首先发送0x60命令
2.发送row地址(由于擦除是以block为单位的,所以无需知道页内地址,只需要知道要擦除哪个page、哪个block即可)
3.发送0xd0,执行擦除动作
4.然后会有一个busy时间段,R/nB为低电平
5.发送0x70命令,用来读取状态
6.判断NFDATA寄存器的第0位是否擦除成功
代码实现如下:
int nand_erase(unsigned int addr, unsigned int len)
{
int page = addr / 2048;
if (addr & (0x1FFFF))
{
printf('nand_erase err, addr is not block alignnr');
return -1;
}
if (len & (0x1FFFF))
{
printf('nand_erase err, len is not block alignnr');
return -1;
}
nand_select();
while (1)
{
page = addr / 2048;
nand_cmd(0x60);
/* page addr */
nand_addr_byte(page & 0xff);
nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);
nand_cmd(0xD0);
wait_ready();
nand_cmd(0x70);
if (nand_data()&0x1)
{
printf('nand_erase err, at addr:0x%xnr', addr);
return -1;
}
len -= (128*1024);
if (len == 0)
break;
addr += (128*1024);
}
nand_deselect();
return 0;
}
3.顺序写(page write)
往NAND FLASH写数据时,只需要把要写的数据复制给NFDATA寄存器即可。代码如下:
void nand_w_data(unsigned char val)
{
NFDATA = val;
}
page write的写时序图如下:
1.首先发送0x80命令
2.发送地址(5个周期)
3.发送数据
4.发送0x10命令,执行烧写动作
4.然后会有一个busy时间段,R/nB为低电平
5.发送0x70命令,用来读取状态
6.判断NFDATA寄存器的第0位是否烧写成功
void nand_write(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{
int page = addr / 2048;
int col = addr & (2048 - 1);
int i = 0;
nand_select();
while (1)
{
nand_cmd(0x80);
/* 发出地址 */
/* col addr */
nand_addr_byte(col & 0xff);
nand_addr_byte((col>>8) & 0xff);
/* row/page addr */
nand_addr_byte(page & 0xff);
nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);
/* 发出数据 */
for (; (col < 2048) && (i < len); col++) //???还需确认
{
nand_w_data(buf[i++]);
}
nand_cmd(0x10);
wait_ready();
nand_cmd(0x70);
if (nand_data()&0x1)
{
printf('nand_write err, at page:0x%x, addr:0x%xnr', page, page<<11);
return -1;
}
if (i == len)
break;
/* 开始下一个循环page */
col = 0;
page++;
}
nand_deselect();
}
我们看到每写一个page,都要重新发送命令地址,因为这里是顺序访问,flash的读写都是以page为单位的。
4.测试
void do_erase_nand_flash(void)
{
unsigned int addr;
/* 获得地址 */
printf('Enter the address of sector to erase: ');
addr = get_uint();
printf('erasing ...nr');
nand_erase(addr, 128*1024);
}
void do_read_nand_flash(void)
{
unsigned int addr;
volatile unsigned char *p;
int i, j;
unsigned char c;
unsigned char str[16];
unsigned char buf[64];
/* 获得地址 */
printf('Enter the address to read: ');
addr = get_uint();
nand_read(addr, buf, 64);
p = (volatile unsigned char *)buf;
printf('Data : nr');
/* 长度固定为64 */
for (i = 0; i < 4; i++)
{
/* 每行打印16个数据 */
for (j = 0; j < 16; j++)
{
/* 先打印数值 */
c = *p++;
str[j] = c;
printf('%02x ', c);
}
printf(' ; ');
for (j = 0; j < 16; j++)
{
/* 后打印字符 */
if (str[j] < 0x20 || str[j] > 0x7e) /* 不可视字符 */
putchar('.');
else
putchar(str[j]);
}
printf('nr');
}
}
void do_write_nand_flash(void)
{
unsigned int addr;
unsigned char str[100];
int i, j;
unsigned int val;
/* 获得地址 */
printf('Enter the address of sector to write: ');
addr = get_uint();
printf('Enter the string to write: ');
gets(str);
printf('writing ...nr');
nand_write(addr, str, strlen(str)+1);
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