如何通过GD32 MCU内部ADC参考电压通道提高采样精度?

发布者:EnchantedHeart最新更新时间:2024-11-05 来源: elecfans关键字:GD32  MCU  内部ADC  采样精度 手机看文章 扫描二维码
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ADC采样精度受很多因素影响,比如电源波动、参考电压波动、输入信号波动等,GD32 MCU内部提供了一个参考电压通道,理论上可以优化由于电源和参考电压较大波动引入的采样误差。

如下图所示,GD32F303 ADC内部17通道为VREFINT参考电压通道,内部参考电压的典型数值为1.2V。

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当外部参考电压波动较大的情况下,如何通过内部参考电压通道提高ADC采样精度呢?

比如我们采样ADC_IN0通道的电压VIN0,那么采样的数值为:

$$Rin0=(VIN0/VREF)*4096.----公式1$$

其中,Rin0为通道0的采样数值,VIN0为通道0的输入电压,VREF为参考电压。

采样完通道0后,我们可以立即采样VREFINT内部参考电压,那么内部采样电压采样的数值为:

$$Rrefint=(VREFINT/VREF)*4096.----公式2$$

将公式1/公式2将得到:

$$Rin0/Rrefint=VIN0/VREFINT$$

进而得到以下公式:

$$VINT0= (Rin0 / Rrefint)*VREFINT.$$

由以上公式可得到通道0的电压值可通过内部参考电压以及内部参考电压的采样值来计算,可不受外部参考电压的变化而影响,进而提高了在外部参考电压波动较大的情况下采样误差的精度。

PS:建议可在外部参考电压较大的情况下使用该方法,如果外部参考电压比较准的话,还是可以直接采样的。


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