2、P1口
P1口对应的专用寄存器的助记符是P1，它是一个8位的专用寄存器，字节地址是90H，它的每一位都有位地址，可以对位进行直接访问。
PI口的位结构如图2-20所示。P1口也是准双向口，它的用途如图2-21所示。
3、P2口
P2口对应的专用寄存器的助记符是P2，它是一个专用寄存器，字节地址是0A0H.。它的每一位都有位地址，可以对位进行直接访问。
P2口的位结构如图2-22所示，P2口的使用方法如表2-11所示。
4、P3口
P3口对应的专用寄存器的助记符是P3，它是一个8位的专用寄存器，字节地址是0B0H。它的每一位都有位地址，可以对位进行直接的访问。
P3口的位结构如图2-23所示。
P3口是1个多用途的端口，每一位口线都有两种功能，即第一功能和第二功能。两种功能可单独使用。其使用方法见表2-21所示。
P3口作第二功能使用时，各口线的功能见表2-23所示。
P3口比P1、P2、P3多了一个缓冲器B3
（1）当P3口作为通I∕O接口时：第二功能输出线为高电平，使与非门的输出取决于口锁存器的状态。在这种情况下，P3口仍是一个准双向口，它的工作方式、负载功能与P1、P2口相同。
（2）当P3口作为第二功能使用时，其锁存器Q端必须为高电平，否则T管导通，引脚被箝位在低电平，无法输入或输出第三功能信号。当Q端为高电平时，P3口的口线状态就取决于第二功能输出线的状态。单片机复位时，锁存器输出端为高电平。P3口的引脚信号输入通道中有两个缓冲器，第二功能输入信号RXD，1NT0、1NT1、T0、T1经缓冲器B3输入，通用输入信号仍经缓冲器B2输入。
注意：不管是作为输入口使用还是第二功能输入口，输出电路中的锁存器输出和第二功能信号输出线都应保持高电平。否则的话在输入为高电平时会被内部T管拉低。
在作输入口使用时，若外部引脚被拉为低电平，由于上拉电阻的存在。此时端口会提供源（拉）电流。P0之所以被视为“真正的”双向口，是因为当它用于输入时。，引脚呈浮空状态。
5、端口的负载与接口要求
端口名称
负载功能
接口要求
P0口
驱动8个LSTTL输入
①作为通用I∕O口使用时，输出级是开漏电路，用它去驱动NMOS输入时，需要外接上拉电阻
②作为地址∕数据总线使用时，不需外接上拉电阻
P1～P3
驱动3个LSTTL输入
①对于HMOS型单片机，当P1和P3口作输入时，任何TTL、MNOS电路都以正常方式去驱动它们
②对于HMOS（CHMOS）型单片机，P1～P3的输入端都可被集电开路，漏极开路所驱动，不需外接上拉电阻
6、I∕O口的读写控制
①每个I∕O端口都有两种读入方法，即读锁存器的输出端和读外部引脚，实现两种读操作分别由相应的指令支持。
a、读锁存器指令实现的过程是：读—修改—写，包括ANL、ORL、XRL、JBC、CPL、INC、DEC等指令。（以I∕O端口或I∕O端口的某个位为操作数）。
b、读引脚指令是实现外部I∕O逻辑电平读入内部总线，进而传送到内部某寄存器或某可位寻址的位中，包括MOV等指令。（以I∕O端口或I∕O端口的某个位为操作数）。当执行读引脚操作后，各位的锁存器状态和引脚的状态应该是相同的。
而向对应的位锁存器写入某数后，相应的位引脚是否呈现与锁存器输出的状态相同的电平，必须考虑与该引脚连接的外部电路的状态。
②作为I∕O端口的输出使用时，所有的引脚都可以直接利用位操作指令置位或清零，也可以使用8位的字节寻址操作指令进行输出状态的修改。
位操作指令包括SETB、CLR、CPL和JBC
字节操作指令包括MOV、ANL、ORL、XRL、INC、DEC
所有这些操作都将影响内部D锁存器的输出状态和引脚电平的状态。但是，也有例外。
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