属于msp430的ad采样的应用。由于项目需要,在中断中对AWM3300模拟输入做了阈值检测。一般使用ad采样时,不需要在中断中做此处理。
使用器件型号:msp430F169/msp430F149,AWM3300@honeywell
典型应用电路:具体看AWM3300使用手册
#include "msp430x16x.h"
#include"AWM.h"
//标注CO2的代码与AWM3300无关
double CO2_o,ADC_CO2;//CO2
double ADC_Vol_speed=0,sum,ADC_temp;
int i,gas_rate;
double gas_flow_rate(double voltage)
{
if(voltage > VOL_SP800)
return (800 + (voltage - VOL_SP800)*200/(VOL_SP1000 - VOL_SP800));
if(voltage > VOL_SP700)
return (700 + (voltage - VOL_SP700)*100/(VOL_SP800 - VOL_SP700));
if(voltage > VOL_SP500)
return (500 + (voltage - VOL_SP500)*200/(VOL_SP700 - VOL_SP500));
if(voltage > VOL_SP400)
return (400 + (voltage - VOL_SP400)*100/(VOL_SP500 - VOL_SP400));
if(voltage > VOL_SP300)
return (300 + (voltage - VOL_SP300)*100/(VOL_SP400 - VOL_SP300));
if(voltage > VOL_SP200)
return (200 + (voltage - VOL_SP200)*100/(VOL_SP300 - VOL_SP200));
if(voltage > VOL_SP100)
return (100 + (voltage - VOL_SP100)*100/(VOL_SP200 - VOL_SP100));
if (voltage > VOL_SP0)
return (voltage - VOL_SP0)*100/(VOL_SP100 - VOL_SP0);
else
return 0;
}
void AWM3300_init(void)
{
WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;
P6SEL|=BIT0;//P6.0模拟ADC输入(上电后默认0为输入)
ADC12CTL0 &=~ ENC;
ADC12CTL0=SHT0_2+ADC12ON;//采样转换时间,默认参电1.5V
ADC12CTL0|=REFON+REF2_5V;//参电选择2.5V
// for ( i=0; i<0x3600; i++);
ADC12CTL1=SHP;//选用采样定时器作为触发信号
ADC12IE=BIT0;//使能1中断
ADC12MCTL0=SREF_1;
ADC12CTL0 |=ENC;//AD转换使能
}
int main(void)
{
AWM3300_init();
for(;;)
{
ADC12CTL0|=ADC12SC;//开始转换
_BIS_SR(CPUOFF+GIE);
if(ADC_Vol_speed!=0){
gas_rate=(int)gas_flow_rate(ADC_Vol_speed*1000);
ADC_Vol_speed=0;
}
// if(gas_rate!=0)
// {
// return 0;
// }
}
}
#pragma vector=ADC_VECTOR
__interrupt void ADC12_ISR(void)
{
ADC_temp=(double)ADC12MEM0/(double)0xfff*2.5*2;
if((double)ADC12MEM0>=2818){ //ad:2818-->vol:3.44/2
i++;
sum+=(double)ADC12MEM0;
}
if(i>=19){
ADC_Vol_speed=(sum/(double)0xfff)/20*2.5*2;
sum=0;
i=0;
}
ADC_CO2=(double)ADC12MEM0/(double)0xfff*2.5;//CO2
CO2_o=ADC_CO2*5000.0/3.0;//CO2
// ADC_Vol_speed=((double)ADC12MEM0/(double)0xfff)*2.5*2;
//if(ADC12MEM0<0x7ff)//max:0xfff,half:0x7ff 小于1/2AVCC
_BIC_SR_IRQ(CPUOFF);
}
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史海拾趣
HANA Micron公司在电子行业的五个发展故事
故事一:2.5D封装技术的突破
HANA Micron,作为韩国顶尖的后端工艺和外包半导体组装测试(OSAT)公司,近年来在2.5D封装技术领域取得了显著进展。随着高性能人工智能(AI)芯片需求的急剧增长,该公司致力于开发一种能够水平组装不同类型AI芯片的封装技术,如高带宽内存(HBM)。这一技术对于生产像英伟达H100这样的顶级AI加速器至关重要。公司CEO Lee Dong-cheol表示,他们已将未来寄托在HBM和其他AI芯片的先进2.5D封装技术上,并透露公司已生产出原型,尽管全面商业化尚需时日。HANA Micron的这一努力不仅提升了其技术实力,也为公司在全球芯片封装市场的竞争中占据了有利位置。
故事二:越南市场的扩张
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故事三:多元化产品线的拓展
除了在传统存储芯片封装领域保持领先地位外,HANA Micron还积极拓展多元化产品线。公司目前正在开发针对可穿戴设备和医疗设备的封装技术,以提高这些设备的灵活性和可靠性。这一项目的第一个成果是去年年底开发的针对医疗贴片的心电图传感器模块,该模块允许传感器的功率低于1mA,延迟低于5ms。这一创新不仅展示了公司在封装技术上的深厚积累,也为其在未来医疗和可穿戴设备市场中的发展奠定了坚实基础。
故事四:与国际巨头的合作与竞争
在电子行业的激烈竞争中,HANA Micron不仅与国内同行如三星、SK海力士等展开合作与竞争,还与国际巨头如台积电、英特尔等保持着紧密的联系。公司CEO Lee Dong-cheol透露,台积电已成功研发出英伟达H100的2.5D封装技术,而三星和SK海力士也在积极跟进。在这种背景下,HANA Micron不断加大研发投入,以确保自己在封装技术上的领先地位。同时,公司还通过与国际巨头的合作与交流,不断提升自身的技术水平和市场竞争力。
故事五:应对市场波动与未来展望
面对全球电子市场的波动和不确定性,HANA Micron展现出了较强的抗风险能力和市场适应能力。公司CEO Lee Dong-cheol表示,尽管过去几年存储市场有所放缓,但随着电子产品制造商和AI设备制造商对先进芯片需求的不断增长,预计2024年的业绩将有所改善。为了实现这一目标,公司将继续加大在研发、生产和市场拓展等方面的投入力度。同时,公司还计划将系统芯片的比例提高到50%以上,以降低市场波动对公司业绩的影响。这一战略调整不仅体现了公司对未来的信心和决心,也为公司的可持续发展奠定了坚实基础。
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