涉及6个文件
head.S,init.c,main.c,makefile,nand.c,out.lds
head.S
.text
.global _start
_start:
b Reset
HandleUndef:
b HandleUndef
HandleSWI:
b HandleSWI
HandlePrefetchAbort:
b HandlePrefetchAbort
HandleDataAbort:
b HandleDataAbort
HandleNotUsed:
b HandleNotUsed
b HandleIRQ
HandleFIQ:
b HandleFIQ
Reset:
ldr r0, =0x53000000
mov r1, #0x0
str r1, [r0] @disable watchdog
msr cpsr_c, #0xd2 @IRQ mode,ARM mode,IRQ disable
ldr sp, =3072
msr cpsr_c, #0xd3 @Supervisor mode,ARM mode,IRQ disable
ldr sp, =1024*4 @set up stack,4K
msr cpsr_c, #0x53 @Supervisor mode,ARM mode,IRQ enable
ldr sp, =4096
bl clock_init
bl memsetup
bl nand_init
ldr r0, =0x30000000 @target address(sdram),nand_read 1parameter
mov r1, #4096 @start address,nand_read 2parameter
mov r2, #2048*2 @size copy to sdram,nand_read 3parameter
bl nand_read
bl create_page_table
bl mmu_init
ldr sp, =0xB4000000 @pstack go to sdram
ldr lr, =halt_loop
ldr pc, =main
halt_loop:
b halt_loop
HandleIRQ:
sub lr, lr, #4
stmdb sp!, {r0-r12,lr}
ldr lr, =int_return
ldr pc, =TIMER_Handle
int_return:
ldmia sp!, { r0-r12,pc }^
init.c
#define BWSCON (*(volatile unsigned long *)0x48000000)
#define BANKCON0 (*(volatile unsigned long *)0x48000004)
#define BANKCON1 (*(volatile unsigned long *)0x48000008)
#define BANKCON2 (*(volatile unsigned long *)0x4800000C)
#define BANKCON3 (*(volatile unsigned long *)0x48000010)
#define BANKCON4 (*(volatile unsigned long *)0x48000014)
#define BANKCON5 (*(volatile unsigned long *)0x48000018)
#define BANKCON6 (*(volatile unsigned long *)0x4800001C)
#define BANKCON7 (*(volatile unsigned long *)0x48000020)
#define REFRESH (*(volatile unsigned long *)0x48000024)
#define BANKSIZE (*(volatile unsigned long *)0x48000028)
#define MRSRB6 (*(volatile unsigned long *)0x4800002C)
#define MRSRB7 (*(volatile unsigned long *)0x48000030)
#define CLKDIVN (*(volatile unsigned long *)0x4C000014)
#define MPLLCON (*(volatile unsigned long *)0x4C000004)
#define S3C2440_MPLL_400MHZ 0x5C011
void memsetup()
{
BWSCON=0x22011110;
BANKCON0=0x00000700;//sram
BANKCON1=0x00000700;//rom
BANKCON2=0x00000700;
BANKCON3=0x00000700;
BANKCON4=0x00000700;
BANKCON5=0x00000700;
BANKCON6=0x00018005;//sdram
BANKCON7=0x00018005;
REFRESH=0x008C04F4;
BANKSIZE=0x000000B1;
MRSRB6=0x00000030;
MRSRB7=0x00000030;
}
void clock_init()
{
CLKDIVN=0x05;
__asm__(
"mrc p15, 0, r1, c1, c0, 0n"
"orr r1, r1, #0xc0000000n"
"mcr p15, 0, r1, c1, c0, 0n"
);
MPLLCON=S3C2440_MPLL_400MHZ;
}
void create_page_table(void)
{
#define MMU_FULL_ACCESS (3 << 10)
#define MMU_DOMAIN (0 << 5)
#define MMU_SPECIAL (1 << 4)
#define MMU_CACHEABLE (1 << 3)
#define MMU_BUFFERABLE (1 << 2)
#define MMU_SECTION (2)
#define MMU_SECDESC (MMU_FULL_ACCESS | MMU_DOMAIN | MMU_SPECIAL | MMU_SECTION)
#define MMU_SECDESC_WB (MMU_FULL_ACCESS | MMU_DOMAIN | MMU_SPECIAL |
MMU_CACHEABLE | MMU_BUFFERABLE | MMU_SECTION)
#define MMU_SECTION_SIZE 0x00100000
unsigned long virtuladdr, physicaladdr;
unsigned long *mmu_tlb_base = (unsigned long *)0x30000000;
virtuladdr = 0;
physicaladdr = 0;
*(mmu_tlb_base + (virtuladdr >> 20)) = (physicaladdr & 0xFFF00000) | MMU_SECDESC_WB;//0~4096 the same
virtuladdr = 0x56000000;
physicaladdr = 0x56000000;
*(mmu_tlb_base + (virtuladdr >> 20)) = (physicaladdr & 0xFFF00000) | MMU_SECDESC;
virtuladdr = 0x4A000000;
physicaladdr = 0x4A000000;
*(mmu_tlb_base + (virtuladdr >> 20)) = (physicaladdr & 0xFFF00000) | MMU_SECDESC;
virtuladdr = 0x51000000;
physicaladdr = 0x51000000;
*(mmu_tlb_base + (virtuladdr >> 20)) = (physicaladdr & 0xFFF00000) | MMU_SECDESC;
/*SDRAM to 0xB0000000~0xB4000000*/
virtuladdr = 0xB0000000;
physicaladdr = 0x30000000;
while (virtuladdr < 0xB4000000)
{
*(mmu_tlb_base + (virtuladdr >> 20)) = (physicaladdr & 0xFFF00000) | MMU_SECDESC_WB;
virtuladdr += 0x100000;
physicaladdr += 0x100000;
}
}
/*
* 启动MMU
*/
void mmu_init(void)
{
unsigned long ttb = 0x30000000;
__asm__(
"mov r0, #0n"
"mcr p15, 0, r0, c7, c7, 0n"
"mcr p15, 0, r0, c7, c10, 4n"
"mcr p15, 0, r0, c8, c7, 0n"
"mov r4, %0n"
"mcr p15, 0, r4, c2, c0, 0n"
"mvn r0, #0n"
"mcr p15, 0, r0, c3, c0, 0n"
"mrc p15, 0, r0, c1, c0, 0n"
"bic r0, r0, #0x3000n"
"bic r0, r0, #0x0300n"
"bic r0, r0, #0x0087n"
"orr r0, r0, #0x0002n"
"orr r0, r0, #0x0004n"
"orr r0, r0, #0x1000n"
"orr r0, r0, #0x0001n"
"mcr p15, 0, r0, c1, c0, 0n"
:
: "r" (ttb) );
}
main.c
/*
led1 f4,led2 f5,led3 f6,int0 f0
*/
#define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050)
#define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054)
#define GPF4_OUT (1<<(4*2))
#define GPF5_OUT (1<<(5*2))
#define GPF6_OUT (1<<(6*2))
#define GPF4_CON_MSK (3<<(4*2))
#define GPF5_CON_MSK (3<<(5*2))
#define GPF6_CON_MSK (3<<(6*2))
#define GPF4_DAT_MSK (1<<(4))
#define GPF5_DAT_MSK (1<<(5))
#define GPF6_DAT_MSK (1<<(6))
#define TIMER0_MSK (1<<(10))
#define TCFG0 (*(volatile unsigned long *)0x51000000)
#define TCON (*(volatile unsigned long *)0x51000008)
#define TCNTB0 (*(volatile unsigned long *)0x5100000C)
#define INTOFFSET (*(volatile unsigned long *)0x4A000014)
#define SRCPND (*(volatile unsigned long *)0X4A000000)
#define INTMSK (*(volatile unsigned long *)0X4A000008)
#define PRIORITY (*(volatile unsigned long *)0x4A00000C)
#define INTPND (*(volatile unsigned long *)0X4A000010)
void init_timer0()
{
SRCPND=0x0;
INTMSK=~TIMER0_MSK;
TCFG0=0xff;
TCNTB0=0xffff;
TCON=0xa;
TCON=0x9;
}
void led_set_out()
{
GPFCON&=~(GPF4_CON_MSK|GPF5_CON_MSK|GPF6_CON_MSK);
GPFCON|=GPF4_OUT|GPF5_OUT|GPF6_OUT;
GPFDAT&=~(GPF4_DAT_MSK);
GPFDAT&=~(GPF5_DAT_MSK);
GPFDAT&=~(GPF6_DAT_MSK);
GPFDAT|=(1<<4);
GPFDAT|=(1<<5);
GPFDAT|=(1<<6);
}
void led_reset(int ledn)
{
if(ledn==1)
{
GPFDAT|=(1<<4);
}
else if(ledn==2)
{
GPFDAT|=(1<<5);
}
else
{
GPFDAT|=(1<<6);
}
}
void led_set(int ledn)
{
if(ledn==1)
{
GPFDAT&=~(GPF4_DAT_MSK);
}
else if(ledn==2)
{
GPFDAT&=~(GPF5_DAT_MSK);
}
else
{
GPFDAT&=~(GPF6_DAT_MSK);
}
}
void TIMER_Handle()
{
int i;
led_set(1);
for(i=0;i<1000000;i++);
led_reset(1);
SRCPND=1< int main() { int i; led_set_out(); init_timer0(); while(1) { led_reset(2); for(i=0;i<10000000;i++); led_set(2); for(i=0;i<10000000;i++); } return 0; } makefile out.bin : head.S main.c nand.c init.c arm-linux-gcc -c -o head.o head.S arm-linux-gcc -c -o main.o main.c arm-linux-gcc -c -o nand.o nand.c arm-linux-gcc -c -o init.o init.c arm-linux-ld -Tout.lds head.o main.o nand.o init.o -o out_elf arm-linux-objcopy -O binary -S out_elf out.bin arm-linux-objdump -D -m arm out_elf > out.dis #rm -f out.dis out_elf *.o clean: rm -f out.dis out.bin out_elf *.o nand.c #define LARGER_NAND_PAGE #define GSTATUS1 (*(volatile unsigned int *)0x560000B0) #define BUSY 1 #define NAND_SECTOR_SIZE 512 #define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1) #define NAND_SECTOR_SIZE_LP 2048 #define NAND_BLOCK_MASK_LP (NAND_SECTOR_SIZE_LP - 1) typedef unsigned int S3C24X0_REG32; /* NAND FLASH (see S3C2410 manual chapter 6) */ typedef struct { S3C24X0_REG32 NFCONF; S3C24X0_REG32 NFCMD; S3C24X0_REG32 NFADDR; S3C24X0_REG32 NFDATA; S3C24X0_REG32 NFSTAT; S3C24X0_REG32 NFECC; } S3C2410_NAND; /* NAND FLASH (see S3C2440 manual chapter 6, www.100ask.net) */ typedef struct { S3C24X0_REG32 NFCONF;
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史海拾趣
- 创业初期:
- 描述Clulite公司的创始人或核心团队如何识别电子行业中的某个市场机遇。
- 讲述他们是如何筹集初始资金,设立公司,并开发出第一款产品或解决方案的。
- 可以提及公司在初创阶段面临的挑战,如技术难题、市场竞争等。
- 技术创新:
- 讲述Clulite如何通过研发创新,推出了一款颠覆性的产品或技术,从而获得了市场认可。
- 详细描述这一创新过程,包括研发团队的努力、关键技术的突破等。
- 提及这一创新如何帮助公司在市场上取得了竞争优势。
- 市场拓展:
- 描述Clulite如何逐步扩大市场份额,从地区市场走向全国乃至国际市场。
- 可以讲述公司如何建立销售网络、与合作伙伴建立合作关系,以及参与行业展会等活动来推广品牌和产品。
- 提及公司在市场拓展过程中遇到的挑战和应对策略。
- 品质管理:
- 讲述Clulite如何注重产品质量和客户体验,通过严格的质量控制流程来提升产品可靠性。
- 描述公司如何建立完善的售后服务体系,为客户提供及时、专业的支持。
- 提及这些举措如何帮助公司赢得了客户的信任和口碑。
- 可持续发展:
- 讲述Clulite如何关注环境保护和社会责任,推动公司的可持续发展。
- 描述公司如何采取环保措施,减少生产过程中的污染排放。
- 提及公司如何参与社会公益事业,回馈社会。
请注意,这些故事需要根据Clulite公司的实际情况进行调整和补充。如果你需要更具体的内容,建议查阅Clulite公司的官方网站、新闻报道或行业分析报告,以获取更详细的信息和数据。
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在追求经济效益的同时,Ericsson Power Modules也注重环保和可持续发展。公司积极采用环保材料和绿色生产工艺,降低生产过程中的能耗和排放。此外,Ericsson Power Modules还积极参与环保公益活动,推动电子行业的绿色发展。这种环保意识和行动体现了Ericsson Power Modules对社会的责任感和对可持续发展的承诺。
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成果:调迁完成后,振华新云在贵阳市新添高新技术开发区迎来了新的发展机遇,为公司后续的快速发展提供了有力保障。
背景:随着电子行业的快速发展,振华新云不断加大技术创新和产品研发力度。
内容:公司积极引进先进技术和设备,加强与国际先进企业的合作与交流。同时,注重培养高素质的技术人才队伍,为技术创新和产品研发提供有力支持。
成果:通过持续不断的技术创新和产品研发,振华新云在电子元器件领域取得了多项重要成果,如开发出具有国际先进水平的钽电解电容器等产品,进一步巩固了公司在行业中的领先地位。
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