据外媒报道，德国CeramTec公司开发了一种陶瓷冷却解决方案，可用于电动汽车驱动逆变器中的电源模块。
（图片来源：CeramTec）
高性能陶瓷尤其适用于冷却碳化硅场效应晶体管（MOSFET），因其具有高导热性、电绝缘性，以及耐腐蚀和耐磨性。液体冷却器使用水或乙二醇混合物，可以实现特别高的功率密度，从而获得更高的冷却能力。
为了确保有效散热，新一代陶瓷冷却系统采用芯片直封散热器（chip-on-heatsink）技术，将芯片直接连接到金属化陶瓷散热器上，使其特别接近冷却液。为了做到这一点，在陶瓷冷却器的前后直接安装结构化铜板，这样两面都可以作为电路载体，以同时进行冷却。
陶瓷内部冷却结构设计为针翅结构，从而显著增加散热器的传热表面，并实现了针翅表面周围的理想循环。通过这种方式，使热量得到最佳消散，同时该结构增加了机械强度，可以良好吸收压力、扭转和弯曲力。
与传统构造的系统相比，芯片直封散热器的热阻降低了一半。
该散热器只有48x36mm，厚3.6mm（包括金属化），重10克。基于热特性，从芯片到冷却水的设计点，带针翅陶瓷冷却器的电源模块的热阻为0.15 K*cm²/W。
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史海拾趣
GeneSiC Semiconductor公司的发展故事
故事一：技术先驱与高性能SiC器件的开创
GeneSiC Semiconductor自成立以来，便致力于高性能碳化硅（SiC）功率器件的研发与生产。作为碳化硅技术的先驱，GeneSiC在2000年代初便开始布局，并成功开发出多款领先业界的SiC二极管和MOSFET技术。其产品覆盖从650V到6.5kV的广泛电压范围，满足从20W到20MW不同应用场景的需求。这些技术突破不仅提升了系统效率，还显著增强了设备的可靠性和耐用性，为汽车、工业和国防等多个领域带来了革命性的变化。
故事二：政府机构项目的深度参与
GeneSiC与全球多个政府机构紧密合作，参与了众多前沿技术研发项目。例如，为美国能源部（DOE）开发的6.5kV SiC晶闸管用于储能系统，以及为NASA金星探测任务提供的500°C单片集成SiC超结晶体管JBS二极管（MIDSJT）。这些项目不仅展示了GeneSiC在极端环境下的技术实力，还推动了SiC技术在关键领域的广泛应用。通过不断的技术创新与合作，GeneSiC在提升全球科技水平方面做出了重要贡献。
故事三：电动汽车市场的深度布局
随着电动汽车市场的快速崛起，GeneSiC迅速调整战略，将SiC技术应用于电动汽车的关键部件中。其高性能的SiC MOSFET和二极管不仅提升了电动汽车的充电效率和续航里程，还降低了电池系统的热损耗和重量。此外，GeneSiC还为快速充电站开发了高效、稳健的解决方案，如SK Signet的350kW快速充电器便采用了GeneSiC的SiC二极管，为电动汽车的快速普及提供了有力支持。
故事四：工业领域的广泛应用
在工业领域，GeneSiC的SiC技术同样展现出强大的竞争力。以埃克西德技术为例，该公司采用GeneSiC的SiC功率半导体，确保了其下一代工业材料处理设备的高频快速充电器的可靠性、安全性和易用性。GeneSiC的SiC MOSFET和MPS肖特基二极管在高频、大功率的应用场景下表现出色，为工业自动化和智能制造提供了强有力的技术支持。
故事五：与纳微半导体的战略合并
2022年，氮化镓（GaN）功率芯片领导者纳微半导体宣布收购GeneSiC Semiconductor，这一战略合并标志着两家公司在下一代功率半导体领域的强强联合。合并后的公司不仅拥有全面的SiC和GaN技术组合，还通过资源整合和市场拓展，进一步巩固了其在全球功率半导体市场的领先地位。GeneSiC的丰富技术积累和纳微半导体的市场渠道优势相结合，为双方带来了新的增长动力和市场机遇。
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