推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 13:23
步进电机结构和工作原理
1. 步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。在非超载的情况下,电机的转速,停止的位置只取决于控制脉冲信号的频率和脉冲数
2. 脉冲数越多,电机转动的角度越大。
3. 脉冲的频率越高,电机转速越快,但不能超过最高频率,否则电机的力矩迅速减小,电机不转。
步进电机的种类
按力矩产生的原理分为反应式和激磁式(目前我国使用的大都是反应式)
反应式:转子无绕组,由被激磁的定子产生反应力矩实现步进运行
激磁式:定,转子均有激磁绕组(或转子用永久磁钢),由电磁力矩实现步进
按输出力矩大小分为伺服式和功率式
伺服式:输出力矩在百分之几至十分之几(N*M)只能驱动较小的负载,要与液压所知放大器配用,
[嵌入式]
学习STM32单片机之结构体思想
学习内容: 1.我们在操作寄存器的时候,操作的是寄存器的绝对地址,如果每个寄存器都这样操作,那将非常麻烦。 2.我们考虑到外设寄存器的地址都是基于外设基地址的偏移地址,都是在外设基地址上逐个连续递增的,每个寄存器占32 个或者16 个字节,这种方式跟结构体里面的成员类似。 3.定义一种外设结构体,结构体的地址等于外设的基地址,结构体的成员等于寄存器,成员的排列顺序跟寄存器的顺序一样。这样我们操作寄存器的时候就不用每次都找到绝对地址,只要知道外设的基地址就可以操作外设的全部寄存器,即操作结构体的成员即可。 下面先定义一个GPIO 寄存器结构体,结构体里面的成员是GPIO 的寄存器,成员的顺序按照寄存器的偏移地址从低到高排
[单片机]
新能源汽车高压电池系统组成与结构
高压电池系统组成与结构 高压电池模组放置在一个密封并且屏蔽的高压电池箱里,高压电池系统使用可靠的高、低压接插件与整车进行连接,高压电池模组的安装位置如下图所示。 ▲ 高压电池模组的安装位置 高压电池系统内的BMS实时采集各电池单体的电压值、各温度传感器的温度值、电池系统的总电压值和总电流值、电池系统的绝缘电阻值等数据,并根据BMS中设定的阈值判定电池系统工作是否正常,并对故障实时监控。高压电池系统通过BMS使用CAN与VCU或充电器进行通信,对高压电池系统进行充放电等综合管理。 高压电池系统也接收和存储由车载充电器、发电机、制动能量回收装置和外置充电装置提供的高压直流电,并为驱动电机控制器、DC/DC、电动空调、PTC等高压元
[嵌入式]
MCS-51单片机P0端口的结构及工作原理
P0 端口 8 位中的一位结构图见下图: 图片1 由上图可见, P0 端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边,标号为 P0.X 引脚的图标,也就是说 P0.X 引脚可以是 P0.0 到 P0.7 的任何一位,即在 P0 口有 8 P0端口8位中的一位结构图见下图: XMLNAMESPACE PREFIX = O / XMLNAMESPACE PREFIX = V / 由上图可见,P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边,标号为P0.X引脚的图标,也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何
[单片机]
特斯拉的“结构化电池”有什么好处?又甩同行几条街?
1 特斯拉 CTC亮相 从集成式的控制模块到一体化铸造车身,特斯拉这条大鲶鱼,一直在不断地搅动汽车行业的技术格局。 10月,特斯拉在柏林工厂举办的“Giga-Fest”庆典上,特斯拉又照例秀肌肉,展示了最新一代的 电池 组技术——structure battery(结构化电池)。 关注电池技术的朋友大概已经听了很多诸如大模组、CTP(cell to pack)、CTC(cell to chassis)这样的热词了,那我们就先来看看这些都是缩写都是啥意思。 最初的电池包设计,就是由单个电芯集成为模组,再由模组组合成为电池包。 电池能量密度的提高也就仰赖于整个电池包中电芯所占的比例,于是乎大家就开始探索如何去
[汽车电子]
LED日光灯 性能、电源、结构和寿命
最近以来,LED日光灯成为最早进入室内的LED灯具之一,因为它相对于荧光灯来说具有很多优点。 一. 优点 相对于荧光灯来说,LED日光灯具有10大优点: 1. 发光效率高: 荧光灯的发光效率大约是55-80 lm/W(Philips公司T8荧光灯的发光效率为72lm/W),而LED的发光效率在100 lm/W以上,最近Cree公司的XLampXP-G的发光效率已经到130流明/W,而且以后还会不断提升。二者之差现在已经将近一倍。而以后有可能达到3倍以上。 2. 灯具效率高: 灯具的效率主要是指有效光效,因为荧光灯是360度发光的,而在反方向发出的光就没有什么用处。所以荧光灯通常采用一个白色
[电源管理]
两种可提高LED光效的芯片发光层结构设计
LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程,其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。 随着MOCVD外延生长技术和多量子阱结构的发展,人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破,处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED,内量子效率已接近极限,可达100%.A1InGap基LED的内量子效率虽远比A1InGap基LED的低,但也达40%~50%。 大家知道,LED的外量子效率取决于外延材料的内量子效率和芯片的出光效率,提高LED发光效率的关健是提高芯片的外量子效率,这在很大程度上决于芯片的出光
[电源管理]