​美光率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品

2024 年 5 月 9 日，中国上海 – Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达 5,600 MT/s。该款 128GB DDR5 RDIMM 内存采用美光行业领先的 1β（1-beta） 制程技术，相较于采用 3DS 硅通孔（TSV）技术的竞品，容量密度提升 45% 以上，¹能效提升高达 22%，²延迟降低高达 16%¹。

美光与行业领先的厂商及客户合作，推动了这些高性能、大容量新模组在高吞吐量服务器 CPU 上的广泛应用。该款高速率内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景，满足它们的性能需求。美光 128GB DDR5 RDIMM 内存模组获得了强大的生态支持，包括 AMD、HPE、英特尔、Supermicro 等众多公司。

美光副总裁暨计算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示：“随着该款产品批量出货里程碑的达成，美光继续引领市场，为客户提供通过各主流 CPU 平台认证的大容量 RDIMM。目前，AI 服务器可搭载美光的 24GB 8 层堆叠 HBM3E 作为 GPU 附加内存，以及美光的 128GB RDIMM 作为 CPU 附加内存，从而提供内存密集型工作负载所需的大容量、高带宽及低功耗的基础设施。”

行业应用

AMD 高级副总裁暨服务器事业部总经理 Dan McNamara 表示：“我们与美光合作的宗旨在于，通过高性能内存来提升数据中心基础设施的能力，以应对计算密集型工作负载的需求。通过此次合作，我们共同的客户可以在搭载 AMD EPYC（霄龙）CPU 的服务器上立即体验到美光大容量 DDR5 内存带来的显著优势，从而实现现代数据中心所需的性能和效率。”

HPE 高级副总裁兼主流计算总经理 Krista Satterthwaite 表示：“在 AI 的训练、调优及推理阶段，采用先进的内存技术，并同时确保高性能和高效率，对于支持不断增长的 AI 工作负载至关重要。我们致力于提供最高性能、低功耗的解决方案，并计划通过与美光的合作，在我们的 AI 产品组合中全面采用单块高密度 DRAM，帮助企业客户获得最佳性能，应对各种工作负载。”

英特尔内存与 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士表示：“美光 128GB DDR5 RDIMM 内存是首款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的大容量 DIMM 产品，已完成第四代和第五代英特尔^®至强^® 处理器平台上的内存兼容性认证。该款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的 DDR5 内存模组可加速关键服务器和 AI 系统配置，为基于英特尔^® 至强^® 处理器的系统带来关键的性能、容量和最至关重要的能效优势。我们很高兴继续与美光合作，推动创新产品在市场上的广泛应用，解决 AI 和服务器客户面临的内存容量和能耗瓶颈问题。”

Supermicro 联合创始人兼业务发展高级副总裁 Wally Liaw表示：“Supermicro 基于英伟达、AMD 和英特尔打造业界最广泛的加速服务器和解决方案组合，引领行业前行。有远见的客户正致力于在 AI 基础设施中实现大内存空间、高性能和高效率的改进。我们很高兴与美光合作，共同实现这一突破。通过搭载全新基于 32Gb 单块DRAM芯片的 128GB 内存模组，Supermicro 先进的 GPU SuperServers 将为客户提供显著的优势。”

美光 128GB DDR5 RDIMM 内存模组已开售，现可直接从美光购买，并将于 2024 年 6 月起通过全球部分渠道分销商和经销商对外供应。美光为数据中心提供全面的内存产品组合，提供涵盖 DDR5 RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL 和 LPDDR5x 等外形规格的一系列内存产品，助力客户轻松集成这些优化的解决方案，满足 AI 和高性能计算（HPC）应用对于高带宽、大容量和低功耗的需求。

1. 基于竞品的数据表和 JEDEC 规范。

2. 与 SK 海力士的 5,600 MT/s 3DS TSV 产品相比，美光 5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM 内存的能效提升 22.2%。