SD NAND相对于NOR Flash的优势-电子工程世界

一、SD NAND和NOR Flash

SD NAND和NOR Flash在不同的方面都有着不同的优劣势，

	SD NAND	NOR Flash
成本	SD NAND相对较便宜	NOR Flash相对较昂贵
容量	1Gb~512Gb	512Kb-32Mb
擦除写入速度	SD NAND的读取速度较快，例如MK-米客方德8GB的MKDN032GIL-AA工业级pSLC芯片的实测读取速度可达42.8MByte/s	NOR Flash具有较快的随机读取速度，但NOR Flash的擦除和写入速度相对较慢

备注：容量单位换算：1GByte=8Gbit ( B=Byte，b=bit)

实际应用

NOR Flash由于其快速的随机访问速度，NOR Flash适合用于存储可执行代码，如引导程序、固件等。

若客户需要更大容量的存储，大多是选择一个小容量的NOR FLASH来存放启动代码，再额外选择一个SD NAND来存储数据。另外，不少MCU都已经内部集成了NOR FLASH,所以外部挂一个SD NAND即可。

关键字：NAND NOR Flash 引用地址：SD NAND相对于NOR Flash的优势

上一篇：SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比较
下一篇：介绍一种用于人体健康监测的全自动可穿戴腿部运动传感系统

推荐阅读最新更新时间：2024-11-11 05:59

SD变HD的这款解决方案很有吸引力

越来越多的汽车应用开始部署摄像头系统和摄像头接口技术来协助驾驶员，并增强驾驶体验。传统的后视摄像头(RVC)系统只搭载了一个摄像头，如今开始被搭载四个或更多摄像头的环视系统(SVM)所取代，这些新系统具有 360°实时汽车监控功能。行车记录仪、盲区监测、夜视、道路标志辨识、车道偏离监测、自适应巡航、紧急刹车和低速防撞系统都可以减轻驾驶员的工作负担。为增强驾驶体验，驾驶人员生命体征监测、乘员检测和人机接口手势识别等多种应用中也开始引入摄像头。由于摄像头系统的发展，汽车制造商甚至可以通过替换传统的后视镜等功能来重新设计汽车轮廓。图 1. 摄像头在现代化汽车中广泛应用。许多不同的摄像头应用与现在大量汽车中部署的标清(SD

[嵌入式]

<font color='red'>SD</font>变HD的这款解决方案很有吸引力

长江存储开工,要建3座全球最大3D NAND厂

原文标题：长江存储项目武汉光谷开工，巨资打造千亿级别的“中国存储器航母” 集微网消息，12月30日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。国家工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家科技部重大专项办副巡视员邱钢、国家开发银行评审二局副局长李力锋，国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫、总经理丁文武、监事长王彦欣，华芯管理公司常务副总裁高松涛等，与湖北省副省长许克振，武汉市委常委、常务副市长龙正才，武汉市委常委、东湖高新区党工

[手机便携]

长江存储发展迅速，日韩垄断格局面临打破？

紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking 架构的64层256 Gb TLC 三维闪存（3D NAND）。这也是中国首款64层3D NAND闪存，意味着国内在存储芯片有了新的突破，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。长江存储相关负责人向《大公报》表示，长江存储64层三维

[嵌入式]

消息指SK海力士加速NAND研发，400+层闪存2025年末量产就绪

8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。 SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。 ▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。 IT之家注：从代际发布间隔来看，美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。韩媒

[半导体设计/制造]

Nordic低功耗蓝牙连接VR头显和手柄实现低延迟游戏、娱乐和虚拟培训

海信XR-V3解决方案采用Nordic的nRF52832 SoC，以稳定可靠的低功耗蓝牙连接手柄和头显挪威奥斯陆 – 2023年8月28日 – 中国跨国消费电子集团海信集团子公司海信视像科技股份有限公司(Hisense Visual Technology)发布一款专为游戏、娱乐、教育、培训和模拟应用而设计的虚拟现实(VR)头显和手柄。 “XR-V3”解决方案包括一个头显和两个手柄，使用Nordic Semiconductor的nRF52832 SoC提供低功耗蓝牙(Bluetooth® LE)无线连接，以传输当前的位置和方向。除Nordic SoC之外，XR-V3 解决方案还集成了图像和运动传感器，用于获取用户的

[网络通信]

<font color='red'>Nor</font>dic低功耗蓝牙连接VR头显和手柄实现低延迟游戏、娱乐和虚拟培训

3D NAND究竟出了什么问题？

　　 3D NAND 存储器自从2013年8月以来已经成功地投入市场。虽然， 3D NAND 仍然比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND。但这是为什么呢?事实上， 3D NAND 仍然存在着目前无法轻易克服的许多问题。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　因此，我想在本文中讨论与3D NAND有关的几个技术议题以及一般对它的误解。首先看看有关3D NAND的技术问题。　　超大单元尺寸：通道孔的长宽比更高，导致较大的单元尺寸。此外，钨丝狭缝为超大有效单元尺寸增加了额外的面积。例如，三星(Samsung)采用15nm节点的32层(32-layer) 3D NAND

[网络通信]

支持S3C6410处理器SD卡启动模式的U-Boot-2011.06移植修改方案

通用Bootloader（Universal Bootloader，U-Boot）是系统上电后执行的第一段代码，其作用主要包括初始化硬件环境以及加载执行操作系统内核。在进行系统安装时，U-Boot通常需要使用专用工具烧写到FLASH中，内核及文件系统则通过U-Boot命令进行烧写，该过程操作繁琐，并且容易出错，不适宜系统的大量安装。 S3C6410是三星公司生产的一款基于ARM11架构的通用嵌入式处理器，其启动方式除了传统的Flash启动模式外，还支持从SD 卡中启动系统。本文基于S3C6410处理器，分析了从SD卡启动系统的原理，并对U-Boot源码进行修改以支持该启动方式，在此基础上进一步扩展了U-Boot的功能，使其支持

[单片机]

支持S3C6410处理器<font color='red'>SD</font>卡启动模式的U-Boot-2011.06移植修改方案

为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储

在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。 NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。因为NAND闪存在消费市场上的需求量很高，因而存储成本下降得很快，像POS(销售点)终端、打印机以及其他应用可以用NAND存储器以更低的成本达到更高的密度。然而，由于这些嵌入式应用对更高NAND闪存密度的要求在不断提高，设计师需要从各种NAND闪存类型、

[嵌入式]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播