车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用-电子工程世界

在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强的耐高温及散热能力等优于传统硅基器件的先进特性，越来越多地在新能源汽车中得到应用，尤其是在高效率OBC(车载充电机)和HV-LV DC-DC变换器中迅速推广。

**SiC SBD(Schottky Barrier Diode) **

SiC SBD属于宽带隙第三代半导体，材料本身拥有极低的反向恢复电荷Qrr，用于高频开关电路可显著降低二极管本身和相邻开关器件的开关损耗，应用中可以使用更高的开关频率，有利于提升效率，减小散热器和感性元件体积，从而降低系统体积、重量和成本。

SiC SBD替换传统硅二极管的优势在于仅对现有产品电路结构做极小的改动即可实现产品性能的优化，快速对应市场需求。

目前，瑞能车规级650V SiC SBD产品系列已完全量产，电流规格覆盖10A-40A主流应用，结合瑞能创新工艺VF低至1.26V，该系列产品均已通过AECQ-101车规产品认证

本次推出的瑞能车规级650V SiC SBD产品系列在 EV/HEV 上的主要应用为电源变换器（车载DC/DC）、OBC（车载充电机）。应用电路常见于Vienna变换器，PFC续流管，二次侧整流桥等场合，有极为广阔的应用空间。

典型OBC应用电路

车规级650V SiC SBD产品系列

关键字：肖特基二极管能量损耗引用地址：车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用

上一篇：为什么比亚迪不用高通8155车机芯片？
下一篇：自动驾驶三大技术要素是什么自动驾驶如何识别车道

推荐阅读最新更新时间：2024-11-05 06:40

基于手机功耗的能量节省难点挑战及损耗要素分析

为了保证设备的运行速率以及低功耗要求，必须优化设备性能。为了提高电他寿命，在系统级、芯片级以及晶体管级别上的设计上需要应用许多设计措施和流程策略。高性能通常以电能高消耗为代价。我们的设计目标就是找到性能与节能两者的最佳平衡点。缩短技术上的差距图中概述了移动设备产业所面临的挑战。标注为1G、2G、3G、4G的阶跃函数，描述了随时间变化的蜂窝制传送性能的增益。按照香农定律8.5个月通信系统性能会翻倍。根据摩尔定律，18个月微处理器性能会翻倍。然而，电池能量密度却在5年-10年才能获得可观的发展。内存访问速度也是每12年才翻倍。移动设备行业主要面临以下几方面的挑战： 1.微处理器和内存带宽 2.电池能耗 3.

[电源管理]

基于手机功耗的<font color='red'>能量</font>节省难点挑战及<font color='red'>损耗</font>要素分析

伺服电机的损耗到底有哪些？能量损失在了哪里？

电机消耗电能，产生机械能。产生的机械能与消耗的电能之比，称为“效率”。想最大限度提升效率，首先要明白能量损失在了哪里。铜耗铜耗是“寄生”在电流之上的，当电流通过电机的定子和转子的时候，由于绕组电阻的存在，损耗就产生了。这部分能量损失就是：电流的平方×电阻 ×时间(I²Rt) 铜耗是电机所有损耗中最容易辨识(计算)的。它只与电流和绕线的电阻有关，当绕线里面通入电流的时候，铜耗就会产生。电流又与电机转矩有关，电机的“劲”越大，铜耗越大。铁耗若干条磁感线从磁铁的N极“出发”到S极“终止”，与垂直穿过截面的面积乘积，称之为磁通量(φ=BS)。单位面积的磁通量就是“磁通密度”。磁通在电机的铁芯里“流动”，会产生热量，“流

[嵌入式]

安森美推出带集成肖特基二极管的N沟道功率MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(m?)、3 m?及5 m?的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及 12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。安森美半导体这些新的功率MOSFE

[电源管理]

安森美推出带集成<font color='red'>肖特基二极管</font>的N沟道<font color='red'>功率</font>MOSFET

基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机

车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关，可提升车载充电机整机效率。碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下： 1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，

[嵌入式]

基本半导体1200V<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>肖特基二极管</font>B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播