根据媒体报导,韩国存储器大厂SK海力士宣布将投资20万亿韩圆(约178亿美金)于今日启用的NAND芯片厂,比原来的预算15.5万亿韩圆还要多29%。
根据《韩联社》报导,这所新的M15新产线位于清州,SK海力士从2016年12月宣布兴建,并且于2017年4月动工,并已在今日完工启用,新厂将加强韩国存储器产业中的竞争力。SK计划持续扩大这条产线,不过详细内容将会视市场状况来决定。该厂将会在2019年第1季开始生产96层NAND Flash 快闪存储器,将会有月产20万片的程度,类似于位于首尔以南80公里的利川M14生产线。
SK海力士会长崔泰源宣示,身为国家的关键企业,SK海力士将会持续维持在市场的竞争力。韩国大统领文在寅也出席了启用仪式,并在致词表示,“这对于第4次产业革命是很大的进步,期待SK在韩国的产业史上写下新的一页。”文在寅也承诺“政府会支持企业在适当时期所做的投资。”
日前有韩国媒体《Business Korea》分析,SK海力士这间M15工厂落成后,可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示,DRAM占80%的销量,NAND Flash则仅占18%,和三星电子60:40的比重来比,SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
虽然NAND芯片因为供过于求的关系,今年的平均价格近乎砍半,美国投资暨研究机构Evercore ISI报告也看坏2019上半年NAND Flash的价格,但根据1日《Business Korea》的报导,韩国投资公司新韩投资认为,由于苹果新款的iPhone销售量增加,对于NAND Flash快闪存储器市场需求会渐渐成长,价格下滑的速度将放缓。
SK海力士在全球DRAM市场仅次于三星,不过NAND市占率却只排名第5位,次于三星电子和东芝等公司。NAND市占率排名第6的英特尔,在NAND Flash上急起直追,2015在中国大连投资55亿美元建设的新厂已于9月底投产。除此之外排行首位的三星已经在中国西安建立了第2间NAND Flash工厂,预计在2019年底前生产;而东芝在日本的工厂也预计在今年底启用。
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史海拾趣
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