新材料和新工艺呼唤新测试技术和仪器

随着广大半导体制造商转向65nm工艺并将超越这一节点，我们面临着巨大的测量挑战。工艺研发工程师必须逐渐抛弃Si/SiO2/多晶硅/Al等材料，开始采用更具挑战性的SiGe、SOI、HfNO2、金属栅、低k和铜等材料。这些新材料需要新的测量技术去分析工艺和器件的特征。其中一些主要应用包括：• 先进高k栅的测量• 圆片射频s参数测量• SOI衬底的恒温直流和射频测试• 嵌入式存储器特征分析，例如MRAM和PRAM•飞安级漏电流测量



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